[发明专利]一种利用版图真空带提高噪声隔离能力的芯片及方法

权利要求书

1.一种利用版图真空带提高噪声隔离能力的芯片，其特征在于：

所述芯片包括噪声区(1)、低噪区(2)、噪声隔离带(3)、真空隔离带(4)以及高压阱(5)；其中，

所述噪声区(1)和低噪区(2)，分别用于容纳所述芯片内的噪声电路(101)和低噪声电路(201～206)，并且噪声区和低噪区之间由噪声隔离带(3)、真空隔离带(4)和高压阱(5)实现物理隔离。

2.根据权利要求1中所述的一种利用版图真空带提高噪声隔离能力的芯片，其特征在于：

所述噪声电路中包括用于执行开关操作的大功率器件；

所述低噪声电路中包括用于控制所述大功率器件执行开关操作的控制电路。

3.根据权利要求1中所述的一种利用版图真空带提高噪声隔离能力的芯片，其特征在于：

所述芯片还包括芯片衬底，所述芯片衬底的外延上设置有衬底外延层(6)，所述噪声电路、所述低噪声电路、所述噪声隔离带和所述高压阱均设置于所述芯片衬底及所述衬底外延层(6)中；并且，

所述噪声隔离带与所述高压阱构成PN结，以实现所述噪声区和所述低噪区之间噪声的隔离。

4.根据权利要求3中所述的一种利用版图真空带提高噪声隔离能力的芯片，其特征在于：

所述噪声隔离带为N+型掺杂隔离带，所述高压阱为P+型掺杂阱。

5.根据权利要求4中所述的一种利用版图真空带提高噪声隔离能力的芯片，其特征在于：

在所述噪声隔离带与所述高压阱形成的所述PN结中，N极与所述噪声电路邻接，P极与所述低噪声电路邻接。

6.根据权利要求5中所述的一种利用版图真空带提高噪声隔离能力的芯片，其特征在于：

所述真空隔离带位于所述衬底外延层(6)中；

所述真空隔离带与所述噪声隔离带邻接设置，或者所述真空隔离带与所述噪声隔离带之间由所述高压阱隔开设置；并且，

所述真空隔离带与所述低噪声电路之间由所述高压阱隔开。

7.根据权利要求6中所述的一种利用版图真空带提高噪声隔离能力的芯片，其特征在于：

所述噪声区和所述低噪区之间的高压阱邻接所述低噪区设置，且位于所述真空隔离带的一侧；或者，

所述噪声区和所述低噪区之间的高压阱被所述真空隔离带划分为两部分。

8.根据权利要求7中所述的一种利用版图真空带提高噪声隔离能力的芯片，其特征在于：

所述真空隔离带与所述衬底外延层均为P型掺杂，所述真空隔离带与所述衬底外延层的掺杂浓度相同，且均小于所述高压阱的掺杂浓度。

9.根据权利要求1中所述的一种利用版图真空带提高噪声隔离能力的芯片，其特征在于：

所述真空隔离带、噪声隔离带以及与所述噪声隔离带形成PN结的高压阱部分的总宽度大于等于50μm。

10.一种利用版图真空带提高噪声隔离能力的方法，其特征在于：

采用如权利要求1-9任意一项中所述的一种利用版图真空带提高噪声隔离能力的芯片。