[发明专利]形成嵌入式管芯衬底的半导体器件和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一衬底，其包括设置在所述第一衬底的第一表面上的第一半导体组件；

第二衬底，其设置在所述第一衬底之上并且包括设置在所述第二衬底的第一表面上的第二半导体组件，其中所述第一半导体组件和第二半导体组件被设置在所述第一衬底和第二衬底之间，并且其中在所述第二半导体组件之上的所述第一衬底的第一表面的区域没有安装在所述第一衬底上的半导体组件，并且在所述第一半导体组件之上的所述第二衬底的第一表面的区域没有安装在所述第二衬底上的半导体组件；

从所述第一衬底延伸到所述第二衬底的垂直互连结构；

沉积在所述第一衬底和第二衬底之间的第一密封剂。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述第一衬底或第二衬底之上、与第一密封剂相对的SiP子模块。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括在所述SiP子模块之上形成的屏蔽层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体组件或第二半导体组件是半导体封装。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述第一衬底的第二表面之上的第三半导体组件。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括沉积在所述第一衬底的第二表面和第三半导体组件之上的第二密封剂。

7.一种半导体器件，包括：

第一衬底，其具有安装到所述第一衬底的第一半导体组件；

第二衬底，其设置在所述第一衬底之上、具有安装到所述第二衬底的第二半导体组件，其中所述第二半导体组件在所述第一半导体组件的高度之内；

第一密封剂，其沉积在所述第一衬底和第二衬底之间、在所述第一半导体组件和第二半导体组件之上；

通过所述第一密封剂从所述第一衬底延伸到所述第二衬底的第一垂直互连结构；

第二密封剂，其沉积在所述第一衬底之上、与所述第一密封剂相对；以及

延伸通过所述第二密封剂的第二垂直互连结构。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括设置在所述第二密封剂中的第三半导体组件。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括设置在所述第一衬底和第二密封剂之间的第三衬底。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括设置在所述第一衬底和第三衬底之间的焊料凸块。

11.一种半导体器件，包括：

第一衬底；

第二衬底；

设置在所述第一衬底和第二衬底之间的第一半导体组件；以及

沉积在所述第一衬底和第二衬底之间的密封剂。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括第二半导体组件，所述第二半导体组件设置在所述第一衬底之上、与所述第一半导体组件相对。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括SiP子模块，所述SiP子模块被设置在所述第一衬底之上、与所述第一半导体组件相对。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述SiP子模块包括垂直互连结构。

15.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述第一半导体组件包括屏蔽层。