[发明专利]阵列基板及显示面板

说明书

本发明提供了一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括：TFT器件层；像素定义层，像素定义层设置于TFT器件层非开口区域的非过孔区域，非开口区域包括过孔区域以及非过孔区域；阻隔墙，阻隔墙设置于过孔区域处，其中，阻隔墙呈倒梯形；有机发光二极管层，有机发光二极管层设置于阻隔墙上端、以及过孔区域的部分辅助电极上端；阴极，阴极设置于过孔区域的部分辅助电极上端。本发明可以改善阴极电压分布不均，以提高显示面板亮度均一性。

技术领域

本发明涉及显示屏技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

对于顶发光的阵列基板，由于阴极较薄，会导致阴极电阻增加，进而使得阴极电压分布不均，导致显示面板亮度均一性低。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种阵列基板及显示面板，旨在解决现有技术中，显示面板亮度均一性低的技术问题。

为实现上述目的，本发明提出的一种阵列基板，包括：

TFT器件层；

像素定义层，所述像素定义层设置于所述TFT器件层非开口区域的非过孔区域，所述非开口区域包括过孔区域以及非过孔区域；

阻隔墙，所述阻隔墙设置于所述过孔区域处，其中，所述阻隔墙呈倒梯形；

有机发光二极管层，所述有机发光二极管层设置于所述阻隔墙上端、以及所述过孔区域的部分辅助电极上端；

阴极，所述阴极设置于所述过孔区域的部分辅助电极上端。

优选地，所述阵列基板还包括无机薄膜，所述无机薄膜设置于所述像素定义层以及所述阻隔墙下方，所述无机薄膜包括二氧化硅薄膜以及氮化硅薄膜。

优选地，所述阻隔墙两侧与所述过孔区域的无机薄膜边缘形成有第一侧刻空间。

优选地，所述像素定义层与所述非过孔区域的无机薄膜边缘形成有第二侧刻空间。

优选地，所述无机薄膜的厚度区间为500～3000埃米。

优选地，所述有机发光二极管层还设置于所述像素定义层上端。

优选地，所述阴极还设置于所述有机发光二极管层上端。

优选地，所述有机发光二极管层还设置于所述开口区域的部分阳极上端。

优选地，所述TFT器件层包括辅助电极、阳极以及薄膜晶体管结构。

为了实现上述目的，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括以上各个架构的阵列基板。

本发明提供的阵列基板包括：TFT器件层；像素定义层，所述像素定义层设置于所述TFT器件层非开口区域的非过孔区域，所述非开口区域包括过孔区域以及非过孔区域；阻隔墙，所述阻隔墙设置于所述过孔区域处，其中，所述阻隔墙呈倒梯形；有机发光二极管层，所述有机发光二极管层设置于所述阻隔墙上端、以及所述过孔区域的部分辅助电极上端；阴极，所述阴极设置于所述过孔区域的部分辅助电极上端。

由于本发明提供的阵列基板使用了倒梯形的阻隔墙，因此，在蒸镀有机发光二极管层时，会在阻隔墙底部的两侧留下使得阴极与辅助电极接触的缝隙空间，因此可以改善阴极电压分布不均。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明阵列基板其中一个实施例的硬件结构示意图；

图2为本发明阵列基板其中一个实施例的硬件结构示意图；