[发明专利]阵列基板及显示面板有效
| 申请号： | 202110533073.7 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113270426B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 邬可荣;郑在纹;康报虹 | 申请（专利权）人： | 长沙惠科光电有限公司;惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 晏波 |
| 地址： | 410300 湖南省长*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
TFT器件层；
像素定义层，所述像素定义层设置于所述TFT器件层非开口区域的非过孔区域，所述非开口区域包括过孔区域以及非过孔区域；
阻隔墙，所述阻隔墙设置于所述过孔区域处，其中，所述阻隔墙呈倒梯形；
有机发光二极管层，所述有机发光二极管层设置于所述阻隔墙上端、以及所述过孔区域的部分辅助电极上端；
无机薄膜，所述无机薄膜设置于所述像素定义层以及所述阻隔墙下方，其中，所述像素定义层以及所述阻隔墙底部的两侧分别与所述无机薄膜边缘形成第一侧刻空间以及第二侧刻空间；
阴极，所述阴极在所述第一侧刻空间以及所述第二侧刻空间上与所述辅助电极接触。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阻隔墙两侧与所述过孔区域的无机薄膜边缘形成有第一侧刻空间。
3.如权利要求1至2任一所述的阵列基板，其特征在于，所述像素定义层与所述非过孔区域的无机薄膜边缘形成有第二侧刻空间。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述无机薄膜的厚度区间为500~3000埃米。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机发光二极管层还设置于所述像素定义层上端。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阴极还设置于所述有机发光二极管层上端。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机发光二极管层还设置于所述开口区域的部分阳极上端。
8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT器件层包括辅助电极、阳极以及薄膜晶体管结构。
9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
