[发明专利]一种非易失存储器及操作方法

说明书

本公开提供一种非易失存储器及操作方法，具有多个区块的存储器与具有用于执行读取设置操作的逻辑的控制电路耦接，读取设置操作包括将读取设置偏压同时施加至多个区块中的被选择区块的多个存储单元。涵盖多个区块中的多个区块的逻辑可将读取设置操作施加至多个区块。多个区块中的多个区块可分别包括多个子区块。读取设置操作可涵盖区块中的多个子区块，以将读取设置偏压同时施加至被选择区块中的一或多个的单一子区块。区块状态表可用于识别多个过时区块，以进行读取设置操作。此外，多个区块可被涵盖以作为独立于定址多个区块的多个读取指令的一背景操作。

技术领域

本公开涉及包括非易失存储器的集成电路存储器及其操作方法。

背景技术

在高密度非易失存储器(例如三维NAND存储器)中，存储单元晶体管(memory celltransistors)的通道在施加应力前后可具有不同的电阻率。举例而言，用于三维NAND存储器的垂直通道结构中的薄膜多晶硅的电阻率会随着时间而改变。由于此特性所产生的不同电阻将导致阈值电压发生偏移(例如10毫伏至30毫伏)，这反过来会减小存储器的操作窗(operating windows)。

本公开期望提供在这些条件下能够改善用于存储器的操作窗的技术。

公开内容

本公开提供一种非易失存储器，包括具有多个区块的存储器阵列，其中多个区块中的多个区块被配置成响应于对应的多个群组的多个字线而启动以用于存储器操作。多个控制电路为存储器的一部分或耦接至存储器，并且包括执行读取设置操作的逻辑，读取设置操作包括将读取设置偏压同时施加至多个区块中的被选择区块的多个存储单元。非易失存储器包括用于涵盖多个区块中的多个区块的逻辑，以将读取设置操作施加至多个区块。多个区块中的多个区块可分别包括多个子区块，其中多个子区块中的多个子区块被配置成响应于对应的多个子区块串列选择线而针对多个存储操作(memory operations)连接至此多个全域位线集合，以及子区块包括多个NAND串列。读取设置操作可包括涵盖选择的区块中的多个子区块，以将读取设置偏压同时施加至被选择区块中的各个(individual)多个子区块对应的多个存储单元，包括连接至单一全域位线的一或多个NAND串列同时接收设置偏压的实施例。为了说明目的，词语“同时”指偏压装置在时间上至少部分重叠，从而所有同时的偏压配置消耗电流以增加存储器阵列的组合电流消耗。

实施例可包括：维护用于辨识多个过时区块的一区块状态表(block statustable)，且读取设置操作可施加至区块状态表中所辨识的多个过时区块。此外，阵列中的多个区块可顺序地或以系统顺序地被涵盖以作为背景操作或独立于定址多个区块的多个读取指令，以针对多个后续读取操作来保持多个存储单元的预备状态。

本公开提供一种非易失存储器的操作方法，其中非易失存储器可包括存储器平面，存储器平面包括多个存储单元的多个区块和多个位线，每个区块包括具有多个NAND串列集合，其具有用于连接至多个位线的对应的多个位线的多个串列选择线，其中该区块的多个NAND串列集合中的每个NAND串列连接至用于该区块的多个字线集合。方法包括：涵盖多个区块以将多个读取设置偏压配置施加至多个读取操作来调节(condition)多个过时区块的多个区块中的多个过时区块(stale blocks)。多个读取没置偏压包括将读取设置偏压同时施加至多个区块的被选择区块的多个存储单元。方法可被应用于存储器中，其中多个存储单元的多个区块中的每个区块包括多个子区块，每个子区块包括该区块的多个NAND串列集合的一不同子集(a distinct subset of the set of NAND strings of theblock)，每个子区块中的不同子集的多个NAND串列可操作地连接至对应的子区块串列选择线(respective sub-block string select line)，通过选择线将多个栅极电压施加至子区块的不同子集中的多个NAND串列的多个串列选择栅极，其中多个读取设置偏压操作被同时施加至一或多个子区块。

附图说明

通过阅读下面的附图、详细说明和申请专利范围，可看见本公开的其他方面和优点。