[发明专利]一种非易失存储器及操作方法

权利要求书

1.一种非易失存储器，包括：

多个区块，其中该多个区块中的多个区块被配置成响应于对应的多个群组的多个字线而启动以用于存储器操作；以及

多个控制电路，包括执行一读取设置操作的逻辑，该读取设置操作包括将一读取设置偏压同时施加至该多个区块中的一被选择区块的多个存储单元。

2.根据权利要求1所述的非易失存储器该非易失存储器包括用于涵盖该多个区块中的这些区块的逻辑，以将该读取设置操作施加至所述多个区块。

3.根据权利要求1所述的非易失存储器，其中，该多个区块中的该多个区块包括多个子区块，该读取设置操作包括涵盖该被选择区块中的该多个子区块，以将该读取设置偏压同时施加至该被选择区块的该多个子区块的一个或多个子区块中对应的多个存储单元。

4.根据权利要求1所述的非易失存储器，其中，该非易失存储器包含多个存储器平面，该多个存储器平面中的每一个存储器平面包括多个区块，以及包括在所述多个存储器平面中的一个以上的存储器平面中的各个被选择的区块同时执行该读取设置操作的逻辑。

5.根据权利要求1所述的非易失存储器，其中，该多个区块中的该多个区块分别包括多个子区块，其中该多个子区块中的多个子区块被配置成响应于对应的多个子区块串列选择线而针对多个存储操作连接至该多个全域位线集合，以及一子区块包括多个NAND串列，以及该读取设置操作包括涵盖该被选择区块中的该多个子区块，以将该读取设置偏压同时施加至该被选择区块的各个多个子区块对应的多个存储单元。

6.根据权利要求1所述的非易失存储器包括对应该多个存储单元的多个薄膜通道，该读取设置偏压调节该多个薄膜通道以用于一后续读取操作。

7.根据权利要求1所述的非易失存储器包括用于针对具有一过时区块状态的多个区块启动该读取设置操作与根据该读取设置操作来更新一区块状态表的逻辑。

8.根据权利要求1所述的非易失存储器，该非易失存储器包括：

多个存储单元的所述多个区块和多个位线，每个区块被配置包括多个NAND串列集合，其具有用于连接至该多个位线中的对应的多个位线的多个串列选择的栅极其中该区块的该多个NAND串列集合中的每个NAND串列连接至该群组的多个字线；

所述多个存储单元的该多个区块中的每个区块具有多个子区块，每个子区块包括该区块的该多个NAND串列集合的一不同的子集，每个子区块中的该不同的子集的多个NAND串列可操作地连接至一对应的子区块串列选择线，通过选择线将多个栅极电压施加至该子区块的该不同的子集中的该多个NAND串列的该多个串列选择栅极；以及

其中，该读取设置偏压包括一偏压配置，该偏压配置包括在一被选择区块中的至少一子区块串列选择线上以及在该被选择区块的该多个字线集合中的该多个字线上的多个偏压电压。

9.根据权利要求8所述的非易失存储器，其中，该偏压配置包括在该集合中的该多个字线上的多个偏压电压，其低于一读取操作中所施加的多个通过电压。

10.根据权利要求8所述的非易失存储器，其中，该偏压装置包括在一被选择区块中的至少一个子区块串列选择线上的多个偏压电压，以关闭该子区块串列选择栅极。

11.根据权利要求8所述的非易失存储器，其中，该偏压装置包括在该集合中的该多个字线上的多个偏压电压，其具有相较于一读取操作中所施加的多个通过电压的更短的持续时间。

12.根据权利要求8所述的非易失存储器，其中，该偏压装置包括在一被选择区块中的至少一个子区块串列选择线上的多个偏压电压，其具有相较于一读取操作中所施加的多个子区块串列电压得更短的持续时间。