[发明专利]微发光二极管、微发光元件及显示器

权利要求书

1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：

半导体堆叠层，具有相对设置的第一表面和第二表面；所述半导体堆叠层包括在所述第一表面和第二表面之间顺序排列的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，所述第一类型半导体层位于靠近所述第一表面的一侧；

粗糙部，形成在所述第一表面上；在预定投影方向上所述粗糙部的投影落在所述有源层的投影内部，且所述粗糙部的投影面积等于或小于所述有源层的投影面积；所述预定投影方向垂直于所述第一表面。

2.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述微发光二极管的宽度为2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm；

所述微发光二极管的长度为2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm。

3.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述粗糙部的投影面积等于或大于所述有源层的投影面积的60％，且小于或等于所述有源层的投影面积的100％。

4.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，还包括：

绝缘层，部分或完全覆盖所述半导体堆叠层的第二表面。

5.根据权利要求4所述的微发光二极管，其特征在于，所述绝缘层覆盖的区域还包括所述半导体堆叠层的至少部分侧壁。

6.根据权利要求4所述的微发光二极管，其特征在于，所述绝缘层为分布式布拉格反射镜。

7.根据权利要求4所述的微发光二极管，其特征在于，所述绝缘层的折射率介于1.4～2.6。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一表面还包括有平台部，所述平台部位于所述粗糙部的外围，且所述粗糙部相对于所述平台部向第二表面方向凹陷。

9.根据权利要求8所述的微发光二极管，其特征在于，还包括：

保护层，覆盖所述平台部。

10.根据权利要求9所述的微发光二极管，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝的一种或多种。

11.根据权利要求9所述的微发光二极管，其特征在于，所述保护层的厚度为100～20000埃。

12.一种微发光元件，其特征在于，包括：

基板；

至少一个微发光二极管，每个所述微发光二极管包括：

半导体堆叠层，具有相对设置的第一表面和第二表面；所述半导体堆叠层包括在所述第一表面和第二表面之间顺序排列的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，所述第一类型半导体层位于靠近所述第一表面的一侧；

粗糙部，形成在所述第一表面上；在预定投影方向上所述粗糙部的投影落在所述有源层的投影内部，且所述粗糙部的投影面积等于或小于所述有源层的投影面积；所述预定投影方向垂直于所述第一表面。

13.根据权利要求12的微发光元件，其特征在于，所述基板包括金属基板、蓝宝石衬底、玻璃、硅衬底、碳化硅衬底或者支撑膜。

14.根据权利要求12所述的微发光元件，其特征在于，所述粗糙部的投影面积等于或大于所述有源层的投影面积的60％，且小于或等于所述有源层的投影面积的100％。

15.根据权利要求12所述的微发光元件，其特征在于，每个所述微发光二极管还包括：

绝缘层，部分或完全覆盖所述半导体堆叠层的第二表面；所述绝缘层为分布式布拉格反射镜。

16.根据权利要求15所述的微发光元件，其特征在于，所述绝缘层覆盖的区域还包括所述半导体堆叠层的至少部分侧壁。