[发明专利]阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

一基板；

一半导体层，设置于所述基板上，所述半导体层定义有有源区和感光区，所述有源区包括沟道区，所述感光区包括横向排列的P型半导体区、N型半导体区以及I型半导体区，所述I型半导体区设置于所述P型半导体区与所述N型半导体区之间；

一第一导电层，设置于所述半导体层上，所述第一导电层包括分别与所述半导体层相连的源极和漏极；

一第二导电层，设置于所述第一导电层上，包括辅助调节电极；以及

一遮光层，设置于所述基板和所述半导体层之间，所述遮光层包括间隔设置的第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层在所述基板上的正投影覆盖所述沟道区在所述基板上的正投影，且所述第二遮光层在所述基板上的正投影覆盖所述I型半导体区在所述基板上的正投影；

其中，所述辅助调节电极与所述第二遮光层相连。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：栅极层，设置于所述基板上，且所述栅极层在所述基板上的正投影覆盖所述沟道区在基板上的正投影。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层还包括调节电极，所述调节电极在所述基板上的正投影覆盖所述I型半导体区在所述基板上的正投影。

4.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

一基板；

一缓冲层，设置于所述基板上；

一半导体层，设置于所述缓冲层上，所述半导体层定义有有源区和感光区，所述有源区包括沟道区，所述感光区包括P型半导体区、N型半导体区以及设置于所述P型半导体区与所述N型半导体区之间的I型半导体区；

一栅极绝缘层，设置于所述缓冲层上，并覆盖所述半导体层；

一栅极层，设置于所述栅极绝缘层上，且位置对应于所述沟道区；

一层间绝缘层，设置于栅极绝缘层上，并覆盖所述栅极层；

一第一导电层，设置于所述半导体层上，所述第一导电层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述半导体层相连；

一第二导电层，设置于所述第一导电层上，所述第二导电层包括辅助调节电极；以及

一遮光层，设置于所述基板上，所述缓冲层覆盖所述遮光层，所述遮光层包括间隔设置的第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层在所述基板上的正投影覆盖所述沟道区在所述基板上的正投影，且所述第二遮光层在所述基板上的正投影覆盖所述I型半导体区在所述基板上的正投影；

其中，所述第二导电层包括辅助调节电极，所述辅助调节电极与所述第二遮光层相连。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层还包括调节电极，所述调节电极在所述基板上的正投影覆盖所述I型半导体区在所述基板上的正投影。

6.根据权利要求1至5任一项中所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层还包括上部电极，所述阵列基板还包括设置于所述漏极上的下部电极，且所述上部电极在所述基板上的正投影与所述下部电极在所述基板上的正投影至少部分重叠，所述上部电极与所述下部电极之间形成存储电容。

7.根据权利要求1至5任一项中所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层还包括金属走线，所述第二导电层还包括像素电极，所述像素电极与所述金属走线相连。

8.根据权利要求1至5任一项中所述的阵列基板，其特征在于，所述有源区还包括第一重掺杂区、第一轻掺杂区、第二轻掺杂区和第二重掺杂区，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区分别设置于所述沟道区的两侧，所述第一重掺杂区设置于所述第一轻掺杂区远离所述沟道区的一侧，所述第二重掺杂区设置于所述第二轻掺杂区远离所述沟道区的一侧；所述P型半导体区和所述N型半导体区中的一者与所述第二重掺杂区相连。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，相连于所述第二重掺杂区的所述P型半导体区或所述N型半导体区的材料，与所述第二重掺杂区的材料相同。

10.根据权利要求1至5任一项中所述的阵列基板，其特征在于，所述有源区和所述感光区间隔设置，且所述有源区和所述感光区之间电性连接。