[发明专利]一种VCSEL芯片经过ICP蚀刻后的光刻胶去除方法

说明书

本发明涉及半导体芯片生产技术领域，公开了一种VCSEL芯片经过ICP蚀刻后的光刻胶去除方法，步骤为：将晶圆清洗、干燥后，先使用氧气等离子体去胶机在带下电极等离子体轰击的条件下去胶，然后使用有机溶剂清洗，并先后在酮类和醇类溶液中浸泡，再在氧气等离子体去胶机内，在不带带下电极轰击的条件下去胶，最后得到清洁的VCSEL芯片。本发明能够高效的将VCSEL芯片经过ICP刻蚀后的光刻胶去除干净，避免光刻胶残留对后续氧化工艺产生影响。

技术领域

本发明涉及半导体芯片生产技术领域，尤其涉及一种VCSEL芯片经过ICP蚀 刻后的光刻胶去除方法。

背景技术

在VCSEL芯片行业，为了在晶圆上蚀刻出不同的图形，一般都会用到ICP电 感耦合等离子体蚀刻机对半导体材料进行蚀刻加工，刻蚀是半导体发光器制造工 艺中的一个相当重要的步骤。所谓刻蚀，实际上就是将涂光刻胶前沉积的薄膜中 没有被光刻胶覆盖的部分给去除掉。

然而晶圆在经过ICP蚀刻后，由于光刻胶也在反应腔室里面一起经过复杂的 等离子体化学物理反应，以至于经过ICP蚀刻后的晶圆去胶一直都是一个比较棘 手的问题。目前常用的氧气等离子体去胶机在对芯片去胶时，如果去胶时间太长， 虽然可以基本去除芯片上的光刻胶，但是去胶时间太长，长时间大功率氧气等离 子体将会伤害晶圆，如果时间太短，光刻胶不能去除干净，存在有残留的问题， 而光刻胶残留又会影响VCSEL芯片后续的一些工艺，特别是光刻胶残余对VCSRL 后续氧化形貌的严重影响。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种VCSEL芯片经过ICP蚀刻后的光刻胶去 除方法，能够高效的将VCSEL芯片经过ICP刻蚀后的光刻胶去除干净，避免光刻 胶残留对后续氧化工艺产生影响。

本发明通过以下技术手段解决上述技术问题：

一种VCSEL芯片经过ICP蚀刻后的光刻胶去除方法，去胶步骤为：将晶圆清 洗、干燥后，先使用氧气等离子体去胶机在带下电极等离子体轰击的条件下去胶， 然后使用有机溶剂清洗，并先后在酮类和醇类溶液中浸泡，再在氧气等离子体去 胶机内，在不带带下电极轰击的条件下去胶，最后得到清洁的VCSEL芯片。

进一步，所述去胶的步骤，具体为：

S1、对晶圆清洗、干燥；

S2、使用带下电极轰击的氧气等离子体去胶机中去胶1-3min；

S3、对晶圆使用有机清洗剂清洗；

S4、将清洗后的晶圆在去胶液中抖动浸泡20-40min；

S5、再将晶圆置于丙酮溶液中抖动浸泡10-20min；

S6、将晶圆置于醇类溶液中抖动浸泡5-10min后取出，干燥；

S7、将干燥后的晶圆置入氧气等离子体去胶机内，在不带带下电极轰击的条 件下去胶1-2min，得到清洁的VCSEL芯片。

进一步，所述步骤S1中，使用去离子水冲洗5-8min，然后使用甩干机甩干。 在不步骤中，先利用去离子水清洗掉ICP蚀刻后产生的难挥发，同时易溶于水物 质，便于氧气等离子体去胶机的去胶。

进一步，所述步骤S2中，氧气等离子体去胶机去胶时的功率为250-350W， 氧气压力为0.8-1.5torr。在步骤S2中，依靠氧气等离子体去除光刻胶表面在 ICP蚀刻后产生的难溶有机聚合物；同时为了避免长时间大功率氧气等离子伤害 晶圆，在本步骤中，只需要去胶1-3min，较短的时间氧等离子体去胶去除光刻 胶表面一层即可。

进一步，所述步骤S3中，有机清洗剂的温度为45-60℃。加热的有机清洗 剂更容易的将附着在晶圆上的有机物清洗掉。