[发明专利]一种VCSEL芯片经过ICP蚀刻后的光刻胶去除方法在审

申请号：	202110496043.3	申请日：	2021-05-07
公开（公告）号：	CN113589660A	公开（公告）日：	2021-11-02
发明（设计）人：	李雪松;姚林松	申请（专利权）人：	威科赛乐微电子股份有限公司
主分类号：	G03F7/42	分类号：	G03F7/42;H01L21/3065;H01S5/183
代理公司：	广州市华学知识产权代理有限公司 44245	代理人：	黄宗波
地址：	404000 重庆市***	国省代码：	重庆;50
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摘要：
搜索关键词：	一种 vcsel 芯片经过 icp 蚀刻光刻去除方法
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【权利要求书】：

1.一种VCSEL芯片经过ICP蚀刻后的光刻胶去除方法，其特征在于：去胶步骤为：将晶圆清洗、干燥后，先使用氧气等离子体去胶机在带下电极等离子体轰击的条件下去胶，然后使用有机溶剂清洗，并先后在酮类和醇类溶液中浸泡，再在氧气等离子体去胶机内，在不带带下电极轰击的条件下去胶，最后得到清洁的VCSEL芯片。

2.根据权利要求1所述的一种VCSEL芯片经过ICP蚀刻后的光刻胶去除方法，其特征在于：所述去胶的步骤，具体为：

S1、对晶圆清洗、干燥；

S2、使用带下电极轰击的氧气等离子体去胶机中去胶1-3min；

S3、对晶圆使用有机清洗剂清洗；

S4、将清洗后的晶圆在去胶液中抖动浸泡20-40min；

S5、再将晶圆置于丙酮溶液中抖动浸泡10-20min；

S6、将晶圆置于醇类溶液中抖动浸泡5-10min后取出，干燥；

S7、将干燥后的晶圆置入氧气等离子体去胶机内，在不带带下电极轰击的条件下去胶1-2min，得到清洁的VCSEL芯片。

3.根据权利要求2所述的一种VCSEL芯片经过ICP蚀刻后的光刻胶去除方法，其特征在于：所述步骤S1中，使用去离子水冲洗5-8min，然后使用甩干机甩干。

4.根据权利要求2所述的一种VCSEL芯片经过ICP蚀刻后的光刻胶去除方法，其特征在于：所述步骤S2中，氧气等离子体去胶机去胶时的功率为250-350W，氧气压力为0.8-1.5torr。

5.根据权利要求2所述的一种VCSEL芯片经过ICP蚀刻后的光刻胶去除方法，其特征在于：所述步骤S3中，有机清洗剂的温度为45-60℃。

6.根据权利要求2所述的一种VCSEL芯片经过ICP蚀刻后的光刻胶去除方法，其特征在于：所述步骤S4中，去胶液的温度为45-60℃，抖动浸泡时间为30min。