[发明专利]UV发光二极管在审
| 申请号： | 202110491351.7 | 申请日： | 2016-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113314649A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 朴起延;许政勋;韩釉大;韩建宇 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 陈亚男;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | uv 发光二极管 | ||
1.一种UV发光二极管，所述UV发光二极管包括：
第一导电型半导体层，包括接触层和包层；
第一应力调节层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括多个氮化物层；
活性层，设置在第一应力调节层上；
第二导电型半导体层，设置在活性层上；
第一电极，设置在第一导电型半导体层上；以及
第二电极，设置在第二导电型半导体层上，
其中，第一应力调节层的所述多个氮化物层包括Al增量层，所述Al增量层具有比没有Al增量层的氮化物层的Al组成比高的Al组成比。
2.根据权利要求1所述的UV发光二极管，其中，Al增量层的晶格常数小于第一应力调节层的平均晶格常数。
3.根据权利要求1所述的UV发光二极管，其中，第一应力调节层包括第一AlGaN层和具有比第一AlGaN层的Al组成比低的Al组成比的第二AlGaN层。
4.根据权利要求3所述的UV发光二极管，其中，第一AlGaN层设置在第二AlGaN层上。
5.根据权利要求3所述的UV发光二极管，其中，第一AlGaN层和第二AlGaN层重复堆叠以形成超晶格结构。
6.根据权利要求3所述的UV发光二极管，其中，第一AlGaN层和第二AlGaN层被掺杂为n型。
7.根据权利要求1所述的UV发光二极管，所述UV发光二极管还包括基台，其中，UV发光二极管是倒装芯片型。
8.根据权利要求7所述的UV发光二极管，其中，基台包括绝缘基底或导电基底。
9.根据权利要求7所述的UV发光二极管，所述UV发光二极管还包括位于第二导电型半导体层与基台之间的结合层，其中，结合层包括AuSN。
10.根据权利要求1所述的UV发光二极管，其中，Al增量层包括AlzGa(1-z)N，其中，0.8≤z≤1。
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