[发明专利]一种声表面波谐振器的制作方法在审

专利信息
申请号: 202110483492.4 申请日: 2021-04-30
公开(公告)号: CN113162580A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 王放;宋崇希;邱鲁岩;姚艳龙 申请(专利权)人: 江苏卓胜微电子股份有限公司
主分类号: H03H9/64 分类号: H03H9/64;H03H3/02
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 214072 江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 表面波 谐振器 制作方法
【权利要求书】:

1.一种声表面波谐振器的制作方法,其特征在于,包括:

提供一压电衬底;

在所述压电衬底一侧制作叉指式换能器;

在所述叉指式换能器远离所述压电衬底的一侧形成温度补偿层,所述温度补偿层覆盖所述叉指式换能器和所述压电衬底,所述温度补偿层的厚度在目标温度补偿层厚度的110%~120%之间,其中,所述温度补偿层包括第一补偿区和第二补偿区,所述第一补偿区在所述压电衬底上的垂直投影覆盖所述叉指式换能器在所述压电衬底上的垂直投影,所述第二补偿区在所述压电衬底上的垂直投影位于所述叉指式换能器的间隙中;

在所述温度补偿层远离所述压电衬底的一侧形成金属膜层,其中,所述金属膜层包括第一金属区和第二金属区,所述第一金属区在所述压电衬底上的垂直投影覆盖所述叉指式换能器在所述压电衬底上的垂直投影,所述第二金属区在所述压电衬底上的垂直投影位于所述叉指式换能器的间隙中;

去除所述第一金属区;

去除部分第一补偿区形成第三补偿区,使所述第三补偿区远离所述压电衬底的表面到所述压电衬底的距离小于或等于所述第二补偿区远离所述压电衬底的表面到所述压电衬底的距离,同时所述第三补偿区远离所述压电衬底的表面到所述压电衬底的距离大于或等于所述目标温度补偿层的厚度;

去除所述第二金属区;

对所述第三补偿区和所述第二补偿区进行处理,使处理后的第二补偿区的厚度与所述目标温度补偿层的厚度相等,且所述第三补偿区远离所述压电衬底的表面与所述第二补偿区远离所述压电衬底的表面平齐。

2.根据权利要求1所述制作方法,其特征在于,采用化学机械平坦化处理的方法去除所述第一金属区或者采用干法刻蚀的方法去除所述第一金属区。

3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述采用化学机械平坦化处理的方法去除所述第一金属区包括:

将酸性抛光液与水按1:10的比例混合形成第一溶液;

采用所述第一溶液浸湿所述第一金属区,对所述第一金属区进行化学机械平坦化处理,直到露出所述第一补偿区。

4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述金属膜层的厚度小于第一距离,其中,所述第一距离是指所述第一补偿区远离所述压电衬底的表面到所述压电衬底的距离与所述第二补偿区远离所述压电衬底的表面到所述压电衬底的距离的差。

5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,去除部分第一补偿区形成第三补偿区,使所述第三补偿区远离所述压电衬底的表面低于所述第二金属区靠近所述压电衬底的表面或与所述第二金属区靠近所述压电衬底的表面平齐,同时所述第三补偿区远离所述压电衬底的表面到所述压电衬底的距离大于或等于所述目标温度补偿层的厚度包括:

将碱性抛光液与水按1:20的比例混合形成第二溶液;

采用所述第二溶液浸湿所述第一补偿区,对所述第一补偿区进行化学机械平坦化处理。

6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,去除所述第二金属区的方法包括干法蚀刻。

7.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,采用抛光工艺或调频工艺对所述第三补偿区和所述第二补偿区进行处理,使处理后的第二补偿区的厚度与所述目标温度补偿层的厚度相等且所述第三补偿区远离所述压电衬底的表面与所述第二补偿区远离所述压电衬底的表面平齐。

8.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述压电衬底的材料包括钽酸锂、铌酸锂或石英。

9.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述金属膜层的材料包括钛、铬、铜、银和铝中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述温度补偿层的材料包括二氧化硅、二氧化锗或者氟氧化硅。

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