[发明专利]一种半导体器件的制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于确保形成在不同类区域上的鳍式场效应晶体管具有不同阈值电压的情况下，减少各鳍式场效应晶体管所包括的沟道区中的缺陷。所述制造方法包括：提供一基底；基底上形成有介质层，基底具有多类区域；在介质层位于每类区域上的部分内分别开设凹槽，并在位于每类区域上的凹槽内形成相应材质的半导体材料层；位于不同类区域上的半导体材料层为相应类的阈值调控层；去除介质层，并至少刻蚀半导体材料层和基底，以在每类区域上均形成沿第一方向延伸的鳍状结构；基于每一鳍状结构，在每类区域上均形成鳍式场效应晶体管，以使得位于不同类区域上的鳍式场效应晶体管具有不同的阈值电压。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

在制造包括多个鳍式场效应晶体管的半导体器件的过程中，为满足实际的工作需求，通常会通过为不同的鳍式场效应晶体管制造具有不同材质的沟道的方式，以使得半导体器件所包括的不同鳍式场效应晶体管具有不同的阈值电压。

但是，采用现有的制造方法制造上述半导体器件时，会使得半导体器件所包括的鳍式场效应晶体管具有的沟道中存在较多的缺陷，从而导致半导体器件的工作性能较差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的制造方法，用于确保半导体器件中，形成在不同类区域上的鳍式场效应晶体管具有不同阈值电压的情况下，减少各鳍式场效应晶体管所包括的沟道区中的缺陷，提高半导体器件的工作性能。

为了实现上述目的，本发明提供了一种半导体器件的制造方法，该半导体器件的制造方法包括：

提供一基底；基底上形成有介质层，基底具有多类区域；

在介质层位于每类区域上的部分内分别开设贯穿介质层的凹槽，并在位于每类区域上的凹槽内形成相应材质的半导体材料层；位于不同类区域上的半导体材料层为相应类的阈值调控层；

去除介质层，并至少刻蚀半导体材料层和基底，以在每类区域上均形成沿第一方向延伸的鳍状结构；

基于每一鳍状结构，在每类区域上均形成鳍式场效应晶体管，以使得位于不同类区域上的鳍式场效应晶体管具有不同的阈值电压。

与现有技术相比，本发明提供的半导体器件的制造方法中，提供的基底上形成有介质层，并且该基底具有多类区域。在此情况下，在介质层位于每类区域上的部分内分别开设了凹槽、以及在位于每类区域上的凹槽内形成有相应材质的半导体材料层后，位于不同类区域上的半导体材料层成为相应类的阈值调控层。接着在去除介质层后，至少刻蚀半导体材料层和基底，并在每类区域上均形成鳍状结构。基于此，因位于不同类区域上的鳍状结构由相应类阈值调控层和基底刻蚀形成，故后续基于形成在不同类区域上的鳍状结构所形成的沟道区也至少包括相应类阈值调控层被刻蚀后剩余的部分，从而能够实现在所制造的半导体器件中，形成在不同类区域上的鳍式场效应晶体管具有不同的阈值电压。此外，上述半导体材料层是形成在不同类区域上开设的凹槽内，并且位于每类区域上的鳍状结构是通过刻蚀半导体材料层和基底位于相应类区域内的部分而形成的，因此半导体材料层的宽度大于鳍状结构的宽度。与采用现有STI First方案在腐蚀鳍状结构获得的凹槽内形成半导体材料层相比，本发明提供的半导体器件的制造方法中，半导体材料层形成在具有较大宽度的凹槽内，使得形成的半导体材料层具有良好的晶体质量，从而可以提高基于该半导体材料层形成的沟道区的质量、减少沟道区的缺陷，提高半导体器件的工作性能。