[发明专利]衬底中的凹入部分及形成凹入部分的方法在审

申请号：	202110478658.3	申请日：	2021-04-30
公开（公告）号：	CN114068319A	公开（公告）日：	2022-02-18
发明（设计）人：	庄劭萱;张皇贤	申请（专利权）人：	日月光半导体制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/3065	分类号：	H01L21/3065;H01L21/308
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287	代理人：	蕭輔寬
地址：	中国台湾高***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	衬底中的部分形成方法
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【说明书】：

提供一种半导体衬底中的凹入部分及形成所述凹入部分的方法。所述方法包括：在所述半导体衬底上形成掩模；在所述掩模的顶表面上及在所述掩模的至少一个侧壁上，及在由所述掩模暴露的所述半导体衬底的至少一个表面上形成保护层；执行第一蚀刻工艺以去除在所述掩模的所述顶表面上及在由所述掩模暴露的所述半导体衬底的底表面上的所述保护层；及执行第二蚀刻工艺以去除其余保护层及蚀刻所述半导体衬底以形成所述凹入部分。以此方式，可实现具有相对平滑及竖直的侧壁的凹入部分。

技术领域

本公开涉及一种包含凹入部分的半导体结构，且更确切地说，涉及一种通过使用蚀刻技术的方法形成的半导体衬底中的凹入部分。

背景技术

在半导体工业中，广泛使用及制造半导体衬底中的深凹口，例如深孔或深沟槽。然而，深孔或深沟槽的侧壁通常粗糙及倾斜。因此，需要提供一种改进的制造方法，以便形成具有期望形状及轮廓的深孔或深沟槽。

发明内容

在一方面中，提供一种形成衬底中的凹入部分的方法。所述方法包括：(a)在衬底上形成掩模(mask)；(b)在掩模的至少一个侧壁上及在由掩模暴露的衬底的至少一个表面上形成保护层；(c)执行第一蚀刻工艺以去除在由掩模暴露的衬底的至少一个表面上的保护层；及(d)执行第二蚀刻工艺以去除在掩模的至少一个侧壁上的保护层及蚀刻衬底以形成凹入部分(recessed portion)。

在一方面中，提供一种半导体衬底中的结构。所述结构包括：半导体衬底中的凹入部分，所述凹入部分包含至少一个侧壁及底表面，其中所述至少一个侧壁包括包含多个凹面的轮廓，及所述凹面沿着所述至少一个侧壁具有基本上均匀(uniform)的形状及大小。

在一方面中，提供一种半导体衬底中的结构。所述结构包括：凹入部分，其包含至少一个侧壁及底表面，其中所述至少一个侧壁基本上垂直于所述底表面，及所述凹入部分的竖直深度在约160μm到400μm的范围内。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述容易地理解本公开的一些实施例的各方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且出于论述的清楚起见，各种结构的尺寸可任意增大或减小。

图1A说明例示光学电子装置的示意性俯视图。

图1B说明例示光学电子装置中的沟槽及光纤的截面图。

图2A-2E各自说明在使用根据实施例的方法制造中的结构的截面图。

图2F说明根据实施例的完整结构的截面图。

图3A说明根据实施例的完整结构的两个电子显微镜图像。

图3B说明根据实施例的结构的侧壁的示意性截面图。

图3C说明根据实施例的展示结构的侧壁的截面图的电子显微镜图像。

图3D说明根据实施例的结构的侧壁中的凹面的示意性截面图。