[发明专利]衬底中的凹入部分及形成凹入部分的方法

权利要求书

1.一种形成衬底中的凹入部分的方法，包括：

(a)在所述衬底上形成掩模；

(b)在所述掩模的至少一个侧壁上及在由所述掩模暴露的所述衬底的至少一个表面上形成保护层；

(c)执行第一蚀刻工艺以去除在由所述掩模暴露的所述衬底的所述至少一个表面上的所述保护层；及

(d)执行第二蚀刻工艺以去除在所述掩模的所述至少一个侧壁上的所述保护层及蚀刻所述衬底以形成所述凹入部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一蚀刻工艺比所述第二蚀刻工艺更具各向异性。

3.根据权利要求1所述的方法，其中用于驱动在所述第一蚀刻工艺中施加的第一蚀刻剂的第一驱动能量大于用于驱动在所述第二蚀刻工艺中施加的第二蚀刻剂的第二驱动能量。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一驱动能量与所述第二驱动能量的比率在从1到7.5的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中用于执行所述第一蚀刻工艺的时间短于用于执行所述第二蚀刻工艺的时间。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括重复所述步骤(b)到(d)，直到达到所述凹入部分的深度。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括重复所述步骤(b)到(d)，直到所述凹入部分的深度在160μm到400μm的范围内。

8.一种半导体衬底中的结构，包括：

在所述半导体衬底中的凹入部分，所述凹入部分包括至少一个侧壁及底表面，其中所述至少一个侧壁包括包含多个凹面的轮廓，且

其中所述凹面沿着所述至少一个侧壁具有基本上均匀的形状。

9.根据权利要求8所述的结构，其中所述凹入部分的长宽比在0.1到26的范围内。

10.根据权利要求8所述的结构，其中所述至少一个侧壁基本上垂直于所述底表面。

11.根据权利要求10所述的结构，其中所述至少一个侧壁与所述底表面之间的夹角为约88度到约90度。

12.根据权利要求8所述的结构，其中所述多个凹面各自包含扇贝形凹面。

13.根据权利要求12所述的结构，其中所述扇贝形凹面中的每一个包含水平尺寸及竖直尺寸，且其中所述竖直尺寸与所述水平尺寸的比率在3到5的范围内。

14.根据权利要求8所述的结构，其中所述凹入部分的深度在160μm到400μm的范围内。

15.一种半导体衬底中的结构，包括：

凹入部分，其包含至少一个侧壁及底表面，

其中所述至少一个侧壁基本上垂直于所述底表面，且

其中所述凹入部分的竖直深度在约160μm到400μm的范围内。

16.根据权利要求15所述的结构，其中所述凹入部分的长宽比为0.1到26。

17.根据权利要求15所述的结构，其中所述至少一个侧壁与所述底表面之间的夹角为88度到90度。

18.根据权利要求15所述的结构，其中所述至少一个侧壁包括包含多个凹面的轮廓，且其中所述凹面具有基本上均匀的形状。

19.根据权利要求18所述的结构，其中所述多个凹面包括扇贝形凹面。

20.根据权利要求19所述的结构，其中所述扇贝形凹面中的每一个包含水平尺寸及竖直尺寸，且其中所述竖直尺寸与所述水平尺寸的比率在3到5的范围内。