[发明专利]提高晶体质量的发光二极管外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种提高晶体质量的发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片 包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的氮化镓层、N型层、有源层、复合P型层、以及复合P型接触层；

所述复合P型层包括第一P型层和经过氟等离子体处理的第二P型层，所述第一P型层为氮化镓层，所述第二P型层为掺氟的氮化镓层；

所述复合P型接触层包括第一接触层和经过氟等离子处理的第二接触层，所述第一接触层为氮化镓层，所述第二接触层为掺氟的氮化镓层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一P型层和所述第二P型层的厚度比为10：1～20：1。

3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述复合P型层的厚度为5～10nm。

4.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述复合P型接触层的厚度为2～5nm，所述第二接触层的厚度为1～2nm。

5.一种提高晶体质量的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂的氮化镓层、N型层和有源层；

在所述有源层上形成复合P型层，所述复合P型层包括第一P型层和经过氟等离子处理的第二P型层，所述第一P型层为氮化镓层，所述第二P型层为掺氟的氮化镓层；

在所述复合P型层上形成复合P型接触层，所述复合P型接触层包括第一接触层和经过氟等离子处理的第二接触层，所述第一接触层为氮化镓层，所述第二接触层为掺氟的氮化镓层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述有源层上形成复合P型层，包括：

在所述有源层上生长P型氮化镓层；

将生长有所述P型氮化镓层的外延片放入等离子体处理设备中，向所述等离子体处理设备中通入CF4，控制所述等离子体处理设备中的温度为室温、射频功率为100～300W，对所述P型氮化镓层的表面进行氟等离子处理，使所述P型氮化镓层表面的部分氮化镓层变为掺氟的氮化镓层，得到所述复合P型层，其中，所述复合P型层中形成的掺氟的氮化镓层为所述第二P型层，所述复合P型层中除所述第二P型层外的氮化镓层为所述第一P型层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，形成所述复合P型层的过程中，向所述等离子体处理设备中通入的CF4的流量为5～200sccm。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，对所述P型氮化镓层的表面进行氟等离子处理的时间为t，20s≤t≤500s。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一P型层和所述第二P型层的厚度比为10：1～20：1。

10.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述复合P型层上形成复合P型接触层，包括：

在所述复合P型层上生长P型氮化镓接触层；

将生长有所述P型氮化镓接触层的外延片放入等离子体处理设备中，向所述等离子体处理设备中通入CF4，控制所述等离子体处理设备中的温度为室温、射频功率为20～100W，对所述P型氮化镓接触层表面进行氟等离子处理，使所述P型氮化镓接触层表面的部分氮化镓层变为掺氟的氮化镓层，得到所述复合P型接触层，其中，所述复合P型接触层中形成的掺氟的氮化镓层为所述第二接触层，所述复合P型接触层中除所述第二接触层外的氮化镓层为所述第一接触层。