[发明专利]一种紫外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种紫外探测器的制备方法，包括以下步骤：

a)在衬底表面设置像素点阵结构和读出电路，所述像素点阵结构由多个像素单元构成；

b)将设置有像素点阵结构和读出电路的衬底置于宽禁带氧化物膜层生长设备中；用掩模挡住读出电路，在100～350℃条件下进行宽禁带氧化物膜层的生长，所述宽禁带氧化物膜层的成分为氧化镓、镓酸锌、镓酸镁或锌镓镁氧合金；

c)完成宽禁带氧化物膜层的生长后，将生长在相邻两个像素单元之间的氧化物膜层刻蚀掉，得到紫外探测器。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中，生长所述宽禁带氧化物膜层的方式为金属有机化学气相沉积或磁控溅射。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述金属有机化学气相沉积的真空度为2×10²～1×10⁴Pa。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述金属有机化学气相沉积的有机源包括锌源有机物、镓源有机物和镁源有机物中的一种或多种；

所述锌源有机物包括二甲基锌和/或二乙基锌；

所述镓源有机物包括三甲基镓和/或三乙基镓；

所述镁源有机物包括二甲基二茂镁和/或二乙基二茂镁。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述金属有机化学气相沉积的时间为0.5～5h。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的溅射射频功率为40～200W。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的压强为1×10^-2～1×10¹Pa。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的时间为1～3h。