[发明专利]用于逻辑到物理映射的双重地址编码

说明书

本申请涉及用于逻辑到物理映射的双重地址编码。存储器器件能够标识对应于由主机器件生成的第一逻辑块地址的第一物理地址以及对应于由主机器件生成的第二(连续的)逻辑块地址的第二物理地址。所述存储器器件能够将对应于所述第一逻辑块地址的所述第一物理地址和所述第二物理地址存储在逻辑到物理映射表的单个条目中。所述存储器器件能够将所述逻辑到物理表传输到所述主机器件以存储在所述主机器件处。所述主机器件随后能够基于所述逻辑到物理表将包含所述第一物理地址和所述第二物理地址的单个读取命令传输到所述存储器器件。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求卡列罗(Cariello)等人于2020年5月7日提交的题为“用于逻辑到物理映射的双重地址编码(DUAL ADDRESS ENCODING FOR LOGICAL-TO-PHYSICALMAPPING)”的美国专利申请第16/869,397号的优先权，所述美国专利申请转让给本申请的受让人并且明确地通过引用整体并入本文。

技术领域

技术领域涉及用于逻辑到物理映射的双重地址编码。

背景技术

下文总体上涉及一或多个存储器系统，并且更具体地涉及用于逻辑到物理映射的双重地址编码。

存储器器件被广泛地用于将信息存储在如计算机、无线通信器件、相机、数字显示器等各种电子器件中。通过将存储器器件内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可以被编程为通常由逻辑1或逻辑0表示的两种支持状态之一。为了存取所存储的信息，组件可以读取或读出存储器器件中的至少一种存储状态。为了存储信息，组件可以在存储器器件中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器器件，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、闪速存储器、相变存储器(PCM)、3维交叉点存储器(3D Xpoint)、闪速存储器(如可以用于或非(NOR)或与非(NAND)存储器器件的浮置栅极闪存和电荷俘获闪存)等。存储器器件可以是易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元(如闪速存储器单元)即使在没有外部电源的情况下也可以持续延长的时间段维持其所存储逻辑状态。易失性存储器单元(如DRAM单元)可能随着时间的推移而失去其所存储状态，除非通过外部电源对其进行周期性刷新。与其它非易失性和易失性存储器器件相比，基于闪存的存储器器件可以具有不同的性能。

发明内容

描述了一种存储器器件。所述存储器器件可以包含存储器单元阵列和与所述存储器单元阵列耦接的控制器。所述控制器可以可操作以使所述存储器器件：从主机器件接收读取命令，所述读取命令包括所述存储器器件的对应于由所述主机器件生成的第一逻辑块地址的第一物理地址以及所述存储器器件的对应于由所述主机器件生成的第二逻辑块地址的第二物理地址；从所述存储器器件的所述第一物理地址检索第一页数据，并且从所述存储器器件的所述第二物理地址检索第二页数据；并且至少部分地基于对所述第一页数据和所述第二页数据进行检索而将所述第一页数据和所述第二页数据传输到所述主机器件。

描述了一种方法。所述方法可以包含：从主机器件接收读取命令，所述读取命令包括所述存储器器件的对应于由所述主机器件生成的第一逻辑块地址的第一物理地址以及所述存储器器件的对应于由所述主机器件生成的第二逻辑块地址的第二物理地址；从所述存储器器件的所述第一物理地址检索第一页数据，并且从所述存储器器件的所述第二物理地址检索第二页数据；以及至少部分地基于对所述第一页数据和所述第二页数据进行检索而将所述第一页数据和所述第二页数据传输到所述主机器件。