[发明专利]一种大电流无极性的肖特基二极管有效
申请号: | 202110471290.8 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113192938B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 曾贵德 | 申请(专利权)人: | 东莞市佳骏电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L29/872;H01L23/495;H01L23/367 |
代理公司: | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人: | 姜华 |
地址: | 523808 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电流 极性 肖特基 二极管 | ||
本发明系提供一种大电流无极性的肖特基二极管,包括绝缘封装体;第一肖特基芯片的正极连接于第一芯接片的一侧,第二肖特基芯片的负极连接于第一芯接片的另一侧,第三肖特基芯片的负极连接于第二芯接片的一侧,第四肖特基芯片的正极连接于第二芯接片的另一侧;第一肖特基芯片的负极连接于中心片的一侧,第三肖特基芯片的正极连接于中心片的另一侧,第二肖特基芯片的正极连接于第一边缘片的一侧,第四肖特基芯片的负极连接于第二边缘片的一侧;中心片与水平面垂直。本发明无论外界电路的正负极连接哪个导电引脚都能够实现导通,使用操作方便,能够承受较大的电流,竖直设置的肖特基芯片能够令热量分散到四周侧面。
技术领域
本发明涉及二极管,具体公开了一种大电流无极性的肖特基二极管。
背景技术
肖特基二极管是以贵金属为正极,以N型半导体为负极,利用二者接触面上所形成的肖特基结即肖特基势垒制成的具有整流特性的金属-半导体器件。当施加正向电压时,肖特基结变窄、内阻变小,施加反向电压时,肖特基结变宽、内阻变大。
现有技术中,肖特基二极管的内部通常封装有一个肖特基芯片,生产时,需要在封装体或包装带上标识正负极,将肖特基二极管焊接安装于PCB时,需要仔细观察其正负极才能进行操作,一旦发生反接则需要进行返修甚至是报废处理,此外,现有技术中的肖特基二极管存在导通电流不足的问题,难以应用于大功率的电路中。
发明内容
基于此,有必要针对现有技术问题,提供一种大电流无极性的肖特基二极管,无极性的特殊结构能够方便安装使用,而且能够供大电流通过。
为解决现有技术问题,本发明公开一种大电流无极性的肖特基二极管,包括绝缘封装体,绝缘封装体中设有第一肖特基芯片、第二肖特基芯片、第三肖特基芯片、第四肖特基芯片、第一导电引脚、第二导电引脚和导电支撑件;
第一导电引脚包括第一芯接片和第一焊装片,第二导电引脚包括第二芯接片和第二焊装片,第一肖特基芯片的正极连接于第一芯接片的一侧,第二肖特基芯片的负极连接于第一芯接片的另一侧,第三肖特基芯片的负极连接于第二芯接片的一侧,第四肖特基芯片的正极连接于第二芯接片的另一侧;
导电支撑件包括导电本体片,导电本体片的一侧固定有中心片、第一边缘片和第二边缘片,中心片位于第一肖特基芯片和第三肖特基芯片之间,第一肖特基芯片的负极连接于中心片的一侧,第三肖特基芯片的正极连接于中心片的另一侧,第二肖特基芯片的正极连接于第一边缘片的一侧,第四肖特基芯片的负极连接于第二边缘片的一侧;
中心片与水平面垂直,中心片、第一肖特基芯片、第二肖特基芯片、第三肖特基芯片、第四肖特基芯片、第一芯接片、第二芯接片、第一边缘片和第二边缘片相互平行。
进一步的,第一芯接片与第一焊装片之间还连接有第一弯折片,第二芯接片与第二焊装片之间还连接有第二弯折片。
进一步的,第一弯折片和第二弯折片均为向下弯曲的U形结构。
进一步的,第一焊装片与绝缘封装体之间连接有第一缓冲层,第二焊装片与绝缘封装体之间连接有第二缓冲层。
进一步的,导电本体片靠近中心片的一面覆盖有绝缘隔层。
进一步的,绝缘隔层为导热硅胶层。
进一步的,导电本体片远离中心片的一面覆盖有铝膜层。
进一步的,导电本体片远离中心片的一侧固定有若干散热翅片。
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