[发明专利]一种大导通电流的碳化硅二极管

权利要求书

1.一种大导通电流的碳化硅二极管，其特征在于，包括竖立设置的肖特基金属板（10），所述肖特基金属板（10）的相对两侧均连接有一个阴极模块板（20），所述肖特基金属板（10）和两个所述阴极模块板（20）外包围有陶瓷保护套（30）；

所述肖特基金属板（10）中设有竖立的高导电芯层（11），所述高导电芯层（11）的顶部连接有水平的阳极金属层（12），所述阳极金属层（12）覆盖在所述肖特基金属板（10）的顶端面上；所述肖特基金属板（10）和两个所述阴极模块板（20）的底部设有钝化层（42），所述钝化层（42）为二氧化硅层；

所述阴极模块板（20）包括从内到外依次层叠于肖特基金属板（10）侧面的N型外延层（21）、N型衬底（22）和欧姆接触层（23），所述欧姆接触层（23）的顶部连接有水平的阴极金属层（24），所述阴极金属层（24）覆盖于所述N型衬底（22）的顶面；

所述陶瓷保护套（30）与所述肖特基金属板（10）及所述N型外延层（21）、N型衬底（22）和欧姆接触层（23）平行；所述陶瓷保护套（30）与所述欧姆接触层（23）接触；

所述阳极金属层（12）与所述阴极金属层（24）之间设有绝缘防护层（40），所述绝缘防护层（40）上设有防溢层（41），所述防溢层（41）位于所述阳极金属层（12）和所述阴极金属层（24）所在平面的上方。

2.根据权利要求1所述的一种大导通电流的碳化硅二极管，其特征在于，所述肖特基金属板（10）的厚度为D，所述高导电芯层（11）的厚度为d，D≥3d。

3.根据权利要求1所述的一种大导通电流的碳化硅二极管，其特征在于，所述肖特基金属板（10）为氮化钛板或钛铝合金板。

4.根据权利要求1所述的一种大导通电流的碳化硅二极管，其特征在于，所述高导电芯层（11）为石墨烯层。

5.根据权利要求1所述的一种大导通电流的碳化硅二极管，其特征在于，所述阳极金属层（12）为金属铜层或金属钨层，所述阴极金属层（24）为金属铜层或金属钨层。

6.根据权利要求1所述的一种大导通电流的碳化硅二极管，其特征在于，所述N型衬底（22）为N+型碳化硅单晶片，所述N型外延层（21）为N-型碳化硅单晶片。

7.根据权利要求1所述的一种大导通电流的碳化硅二极管，其特征在于，所述欧姆接触层（23）为金属镍层或金属镉层。

8.根据权利要求1所述的一种大导通电流的碳化硅二极管，其特征在于，所述N型外延层（21）的上下两端内均设有P型注入层（25），所述P型注入层（25）的端面与所述肖特基金属板（10）的侧面连接。