[发明专利]柔性X射线探测器及其制备方法、三维柔性X射线探测器有效
| 申请号: | 202110470823.0 | 申请日: | 2021-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN113192991B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
| 发明(设计)人: | 张琛;陈明;杨春雷;王忠国;王伟;胡明珠;张陈斌;宁德;闻权;王鄂豫 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院;深圳市卓茂科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/032;H01L31/18;G01T1/20 |
| 代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;黄进 |
| 地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 柔性 射线 探测器 及其 制备 方法 三维 | ||
本发明提供了一种柔性X射线探测器及其制备方法,该X射线探测器包括光电转换单元和闪烁体层;所述闪烁体层设置于所述光电转换单元上,用于将接收到的X射线转换为荧光并发射至光电转换单元;所述光电转换单元的支撑衬底为柔性衬底,所述光电转换单元中的光吸收层为铜铟镓硒光吸收层,所述光电转换单元用于对所述闪烁体层转换出的荧光进行光电转换;其中,所述闪烁体层中设置有接收X射线的入光面和发射荧光的出光面,所述出光面连接至所述光电转换单元,所述入光面为与所述出光面相交的侧面。本发明的柔性X射线探测器具有高灵敏度和高能谱分辨率的优良特性,并且采用不锈钢衬底实现超薄光电二级管阵列的制作,具有柔性和易折叠的特性。
技术领域
本发明属于X射线探测器技术领域,具体涉及一种柔性X射线探测器及其制备方法,还涉及一种三维柔性X射线探测器。
背景技术
在医疗设备领域,X射线医学影像设备受众广泛、使用量大,可应用于骨科、乳腺、牙科、胃肠道、肿瘤科等多种医疗检测,其影像结果是重大疾病确诊、救治的关键依据。
根据探测原理,医用X射线探测器主要分为间接型和直接型探测器。间接型探测器通过闪烁体材料和光电二极管以及薄膜晶体管层或CCD层或CMOS层结合,都可以实现X射线-荧光信号-电信号的转化。以基于CsI闪烁体的间接型X射线探测器为例,CsI对于X射线吸收系数大、量子探测效率高、成像速度快,其针状结晶的晶界面可以有效抑制荧光信号漫反射,但其应用一直受限于CsI材料的稳定性。直接型X射线平板探测器使光电转换层在X射线的作用下产生电子空穴对,并在外加电场作用下迅速分离,被像素电极读取,但受限于光电层的材料选择。比如,基于CdZnTe单晶材料的直接型探测器近年被极大关注,它可以获得高探测效率,适合于低辐射剂量下的应用,更有希望实现能量分辨成像,但在大面积和快速成像上不具备优势,目前只有非晶硒材料可以实现直接型平板探测器应用的大面积沉积,但是由于Se元素对X射线的吸收性能差,器件量子探测效率和灵敏度低,受热结晶会导致性能衰减,非晶硒探测器仅适用于一些对于成像分辨率要求高的应用场景,无法发挥直接型探测器的结构优势。
现有的间接型平板探测器中:一方面,通常以玻璃、硅片等生长衬底,无法满足三维结构的超薄性能要求;另一方面,二维光电阵列垂直于X射线入射方向,直接接收并读取X射线所激发的可见光信号,分辨率受限于可见光信号在闪烁体的纵向散射。
发明内容
鉴于现有技术存在的不足,本发明提供一种柔性X射线探测器及其制备方法,以提高X射线探测器的探测灵敏度和能谱分辨率,并具有柔性和易折叠的特性。
为实现上述发明目的,本发明采用了如下的技术方案:
一种柔性X射线探测器,其包括光电转换单元和闪烁体层;
所述闪烁体层设置于所述光电转换单元上,用于将接收到的X射线转换为荧光并发射至光电转换单元;
所述光电转换单元的支撑衬底为柔性衬底,所述光电转换单元中的光吸收层为铜铟镓硒光吸收层,所述光电转换单元用于对所述闪烁体层转换出的荧光进行光电转换;
其中,所述闪烁体层中设置有接收X射线的入光面和发射荧光的出光面,所述出光面连接至所述光电转换单元,所述入光面为与所述出光面相交的侧面。
优选地,所述光电转换单元包括依次设置的柔性支撑衬底、阻挡层、金属背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、窗口层和透明顶电极层;其中,所述闪烁体层设置于所述透明顶电极层上。
优选地,所述柔性支撑衬底为不锈钢,所述阻挡层的材料为二氧化硅,所述金属背电极层的材料为钼,所述缓冲层的材料为硫化镉,所述窗口层的材料为本征氧化锌,所述透明顶电极层的材料为铝掺杂氧化锌,所述闪烁体层的材料为硫氧化钆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





