[发明专利]一种芯片工作模式的控制方法、装置和多芯片封装结构在审

专利信息
申请号: 202110466818.2 申请日: 2021-04-28
公开(公告)号: CN113078073A 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 王玉冰;谢永宜;左丰国 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L25/18
代理公司: 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 代理人: 田丹
地址: 710075 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 工作 模式 控制 方法 装置 封装 结构
【说明书】:

发明涉及多芯片封装技术领域,具体涉及一种芯片工作模式的控制方法、装置和多芯片封装结构。该方法包括:获取第一工作电压vdd1和第二工作电压vdd2的工作电压比较结果;根据所述工作电压比较结果,控制输入驱动器的工作模式,以使所述第一芯片工作在与所述输入驱动器的工作模式相适应的工作模式。本发明根据第一工作电压vdd1和第二工作电压vdd2的工作电压比较结果,控制输入驱动器的工作模式,以使所述第一芯片工作在与所述输入驱动器的工作模式相适应的工作模式,减少了工作状态不正确、漏电等情况对芯片筛片等测试的干扰,提高了多芯片封装的系统功能调试效率。

技术领域

本发明涉及多芯片封装技术领域,具体涉及一种芯片工作模式的控制方法、装置和多芯片封装结构。

背景技术

近年来,受到物理学上的限制,“摩尔定律”指导下的半导体技术在深亚微米阶段发展趋缓。为了满足计算机或电子系统朝着高带宽、高复杂度及功能多样性的方向发展,先进的多芯片封装技术成为持续优化系统性能和成本的关键创新路径,是“摩尔定律”在计算机或电子系统上的延续。

多芯片封装(multi-chip package),即能将多个不同尺寸、不同制造工艺、不同材料的芯片集成整合到一个封装管壳里面,包括2D、2.5D、3D等芯片的堆叠方式,应用于先进的移动通信/计算、高带宽存储器等系统中。

由于在封装之前,多芯片封装中的各芯片之间并未通过互连线电性连接,或者即使多芯片封装完成后由于某一芯片未上电或者上电未完成,其输入输出电路处于悬空状态,导致芯片的工作状态不正确、漏电等情况的发生,进而干扰到故障芯片的筛查,影响多芯片封装的整个系统功能的调试。

因此,如何提高多芯片封装的系统功能调试效率,是目前亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种芯片工作模式的控制方法、装置和多芯片封装结构,以提高多芯片封装的系统功能调试效率。

为实现上述目的,本发明实施例提供了以下方案:

第一方面,本发明实施例提供一种多芯片封装中芯片工作模式的控制方法,所述方法包括:

获取第一工作电压vdd1和第二工作电压vdd2的工作电压比较结果;其中,vdd1为第一芯片的工作电压;vdd2为第二芯片的工作电压;

根据所述工作电压比较结果,控制输入驱动器的工作模式,以使所述第一芯片工作在与所述输入驱动器的工作模式相适应的工作模式;其中,所述第二芯片通过所述输入驱动器接入所述第一芯片。

在一种可能的实施例中,所述获取第一工作电压vdd1和第二工作电压vdd2的工作电压比较结果,包括:

根据工作电压监测器的输出信号,获取所述工作电压比较结果。

在一种可能的实施例中,所述根据所述工作电压比较结果,控制输入驱动器的工作模式,包括:

若所述工作电压比较结果中vdd1和vdd2满足vdd2≤k·vdd1,则将所述输入驱动器调整为内部下拉模式或内部上拉模式,以使所述第一芯片工作在所述第二芯片未正常上电的默认工作模式;其中,k为小于1的正数;

若所述工作电压比较结果中vdd1和vdd2满足k·vdd1<vdd2≤vdd1,则控制所述输入驱动器将vdd2电压域输入信号经levelshifter通路转化为vdd1电压域输出信号,以使所述第一芯片工作在所述第二芯片上电完成的正常工作模式;

若所述工作电压比较结果中vdd1和vdd2满足vdd1<vdd2,则控制所述输入驱动器将vdd2电压域输入信号经buffer通路转化为vdd1电压域输出信号,以使所述第一芯片工作在所述正常工作模式。

第二方面,本发明实施例提供了一种多芯片封装结构,所述结构的内部包括第一芯片和第二芯片,所述结构还包括:

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