[发明专利]一种芯片工作模式的控制方法、装置和多芯片封装结构

权利要求书

1.一种多芯片封装中芯片工作模式的控制方法，其特征在于，所述方法包括：

获取第一工作电压vdd1和第二工作电压vdd2的工作电压比较结果；其中，vdd1为第一芯片的工作电压；vdd2为第二芯片的工作电压；

根据所述工作电压比较结果，控制输入驱动器的工作模式，以使所述第一芯片工作在与所述输入驱动器的工作模式相适应的工作模式；其中，所述第二芯片通过所述输入驱动器接入所述第一芯片。

2.根据权利要求1所述的芯片工作模式的控制方法，其特征在于，所述获取第一工作电压vdd1和第二工作电压vdd2的工作电压比较结果，包括：

根据工作电压监测器的输出信号，获取所述工作电压比较结果。

3.根据权利要求1所述的芯片工作模式的控制方法，其特征在于，所述根据所述工作电压比较结果，控制输入驱动器的工作模式，包括：

若所述工作电压比较结果中vdd1和vdd2满足vdd2≤k·vdd1，则将所述输入驱动器调整为内部下拉模式或内部上拉模式，以使所述第一芯片工作在所述第二芯片未正常上电的默认工作模式；其中，k为小于1的正数；

若所述工作电压比较结果中vdd1和vdd2满足k·vdd1＜vdd2≤vdd1，则控制所述输入驱动器将vdd2电压域输入信号经levelshifter通路转化为vdd1电压域输出信号，以使所述第一芯片工作在所述第二芯片上电完成的正常工作模式；

若所述工作电压比较结果中vdd1和vdd2满足vdd1＜vdd2，则控制所述输入驱动器将vdd2电压域输入信号经buffer通路转化为vdd1电压域输出信号，以使所述第一芯片工作在所述正常工作模式。

4.一种多芯片封装结构，所述结构的内部包括第一芯片和第二芯片，其特征在于，所述结构还包括：

工作电压监测器，其输入端分别连接所述第一芯片的工作电压vdd1和所述第二芯片的工作电压vdd2，用以输出vdd1和vdd2的工作电压比较结果；

输入驱动器，其输入端连接所述工作电压监测器的输出端，用以根据所述工作电压比较结果，控制所述输入驱动器的工作模式，以使所述第一芯片工作在与所述输入驱动器的工作模式相适应的工作模式；其中，所述第二芯片通过所述输入驱动器接入所述第一芯片。

5.根据权利要求4所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述工作电压监测器包括第一分压电路、第二分压电路、第一比较器、第二比较器、en_lvsft输出端和flag_vdd2on输出端；

所述第一分压电路，接于vdd2和地之间，包括第一分压点；

所述第二分压电路，接于vdd1和地之间，包括高压分压点和低压分压点；

所述第一分压点分别连接所述第一比较器的反向输入端和所述第二比较器的正向输入端；

所述高压分压点连接所述第一比较器的正向输入端；

所述低压分压点连接所述第二比较器的反向输入端；

所述第一比较器的输出端连接en_lvsft输出端；其中，所述en_lvsft输出端连接所述输入驱动器的en_ls输入端；

所述第二比较器的输出端连接flag_vdd2on输出端；其中，所述flag_vdd2on输出端连接所述输入驱动器的en_in输入端。

6.根据权利要求5所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述输入驱动器中包括电平转换器levelshifter通路和缓冲器buffer通路；

其中，所述levelshifter通路用于在k·vdd1＜vdd2≤vdd1时，将vdd2电压域输入信号转化为vdd1电压域输出信号，以使所述第一芯片工作在所述第二芯片上电完成的正常工作模式；所述buffer通路用于在vdd1＜vdd2时，将vdd2电压域输入信号转化为vdd1电压域输出信号，以使所述第一芯片工作在所述正常工作模式；k为小于1的正数。