[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202110459666.3 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113192949A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 严强生;刘冲;陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
基底，具有第一区域和第二区域，所述第一区域位于相邻的两个所述第二区域之间；
三个子漏区，位于所述基底的第一区域内；
两个dummy结构，分别位于相邻两个所述子漏区之间的所述基底上；
源区，位于所述基底的第二区域内；
栅极结构，位于所述第一区域和第二区域之间的所述基底上。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述dummy结构与所述栅极结构的结构相同。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括两个浅沟槽隔离结构，两个所述浅沟槽隔离结构分别位于两个所述dummy结构下方的所述基底中，以分隔相邻的所述子漏区。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述dummy结构为FLASH结构。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，两个所述dummy结构之间的子漏区作为漏极引出端。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括第一阱区及第二阱区，所述第一阱区位于相邻的两个所述第二阱区之间，所述第一阱区位于所述基底的第一区域中，所述第一阱区与所述第二阱区的交界处位于边缘的子漏区的外边缘与内边缘之间。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构位于每个所述第二阱区上，所述源区位于所述第二阱区中，所述dummy结构均位于所述第一阱区上。
8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一阱区具有第一导电类型，所述第二阱区具有第二导电类型，所述源区及所述子漏区均具有所述第一导电类型。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型及所述第二导电类型中一个为N型，另一个为P型。
10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述源区及所述子漏区的表面均形成有金属硅化物层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
