[发明专利]射频半导体器件的制备方法及其结构

权利要求书

1.一种射频半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上制备缓冲层，并在所述缓冲层上外延形成第一结构层，所述第一结构层中形成有二维电子气导电沟道，所述第一结构层用于射频高电子迁移率晶体管；

在所述第一结构层的上表面沉积第一钝化层，并在所述第一钝化层的上表面通过刻蚀工艺形成凸形结构，所述凸形结构用于制备射频半导体器件的栅极，所述凸形结构包括薄膜层和第二钝化层，所述第二钝化层放置于所述薄膜层的上表面，所述薄膜层包括以下至少一种：多晶硅层、非晶硅层、二氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层；

在所述凸形结构的外侧通过刻蚀工艺形成侧墙结构，所述侧墙结构用于保护所述凸形结构，所述侧墙结构放置于所述第一钝化层的上表面，所述侧墙结构位于所述凸形结构的外侧；

根据所述凸形结构、所述侧墙结构和所述第一钝化层在所述第一结构层内形成重掺杂的第一区域，所述第一区域位于所述侧墙结构的外侧，所述第一区域的下表面位于所述二维电子气导电沟道以下，所述第一区域用于形成源漏区域；或者，根据所述凸形结构、所述侧墙结构和所述第一钝化层在第一表面区域上外延形成重掺杂的第一外延层，所述第一表面区域为回刻所述第一结构层后所露出的表面区域，所述第一表面区域位于所述侧墙结构的外侧，所述第一外延层的下表面位于所述二维电子气导电沟道以下，所述第一外延层用于形成所述源漏区域；

所述源漏区域用于制备所述射频半导体器件的源漏极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述凸形结构、所述侧墙结构和所述第一钝化层在所述第一结构层内形成重掺杂的第一区域，包括：

根据所述凸形结构和所述侧墙结构为掩膜，在所述第一钝化层的上表面向所述第一结构层内进行离子注入与退火以形成重掺杂的所述第一区域。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述根据所述凸形结构、所述侧墙结构和所述第一钝化层在第一表面区域上外延形成重掺杂的第一外延层，包括：

根据所述凸形结构和所述侧墙结构为掩膜，刻蚀所述第一钝化层以露出所述第一结构层；

根据所述凸形结构和所述侧墙结构为掩膜，回刻所述第一结构层以露出所述第一表面区域；

在所述第一表面区域上外延形成重掺杂的所述第一外延层。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述第一钝化层的上表面通过刻蚀工艺形成凸形结构，包括：

在所述第一钝化层的上表面依次沉积所述薄膜层和所述第二钝化层；

在所述第二钝化层上使用光刻图形化工艺以得到第一掩膜层；

根据所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二钝化层和所述薄膜层，并停止在所述第一钝化层的上表面以形成所述凸形结构，所述凸形结构位于所述第一钝化层的上表面。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述凸形结构的外侧通过刻蚀工艺形成侧墙结构，包括：

在所述凸形结构的上表面和外侧以及所述第一钝化层的上表面沉淀第三钝化层；

刻蚀所述第三钝化层，并停止在所述第二钝化层和所述第一钝化层以形成所述侧墙结构。