[发明专利]一种掩膜板、制备及其应用在审
| 申请号： | 202110453539.2 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113201710A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 茆胜 | 申请（专利权）人： | 睿馨（珠海）投资发展有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海洞鉴知识产权代理事务所(普通合伙) 31346 | 代理人： | 刘少伟 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市横琴新*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜板 制备 及其 应用 | ||
1.一种掩膜板，其特征在于，包括至少两层：第一掩膜层和第二掩膜层；
所述第一掩膜层含有残余拉应力的第一材料；所述第二掩膜层含有残余压应力的第二材料；
所述第一掩膜层和第二掩膜层都保留了其在刚性基板上形成时残余应力的特征；当所述掩膜板释放其内部残余应力，所述第二掩膜层横向膨胀，所述第一掩膜层横向收缩，所述掩膜板被残余应力共同作用达到最低的应变能状态。
2.根据权利要求1所述的一种掩膜板，其特征在于，所述第一材料为氮化硅，所述第二材料为二氧化硅。
3.根据权利要求1或2所述的一种掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度为50nm，残余拉应力1GPa。
4.根据权利要求1或2所述的一种掩膜板，其特征在于，所述第二掩膜层的厚度为1微米，残余压应力400MPa。
5.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：
基板，该基板可提供刚性特征；
在所述基板上形成掩膜板；
所述掩膜板，包括至少两层：第一掩膜层和第二掩膜层；
所述第一掩膜层含有残余拉应力的第一材料；所述第二掩膜层含有残余压应力的第二材料；
所述第一掩膜层和第二掩膜层都保留了其在刚性基板上形成时残余应力的特征；当所述掩膜板释放其内部残余应力，所述第二掩膜层横向膨胀，所述第一掩膜层横向收缩，所述掩膜板被残余应力共同作用达到最低的应变能状态；
所述掩膜板上形成至少一个开口；所述开口贯穿所述掩膜板，所述开口形成所需的图案；
所述基板在所述掩膜板形成后去除。
6.根据权利要求5所述的一种掩膜板的制备方法，其特征在于，所述形成掩膜板的方法为：低压化学气相沉积、原子层外延、等离子体增强化学气相沉积、或溅射。
7.根据权利要求5所述的一种掩膜板的制备方法，其特征在于，去除基板的方法为：光刻和反应离子刻蚀。
8.一种掩膜板的应用，其特征在于，权利要求1-4任一权利要求所述的掩膜板用于蒸镀。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于睿馨（珠海）投资发展有限公司，未经睿馨（珠海）投资发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110453539.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
