[发明专利]存储器件

权利要求书

1.一种存储单元，包括：

衬底；

位线，其从所述衬底起沿着第一方向竖直地取向；

纳米片晶体管，其包括至少一个纳米片，所述至少一个纳米片从所述位线起沿着与所述第一方向垂直的第二方向水平地取向；以及

电容器，其从所述纳米片晶体管起沿着所述第二方向水平地取向。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述纳米片晶体管包括一对纳米片，所述一对纳米片沿着所述第一方向彼此间隔开并且从所述位线起沿着所述第二方向水平地取向。

3.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述至少一个纳米片包括单晶半导体材料、多晶半导体材料、氧化物半导体或金属化合物。

4.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述至少一个纳米片包括多晶硅纳米片、单晶硅纳米片或铟镓锌氧化物IGZO。

5.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述至少一个纳米片包括：

第一纳米片；以及

第二纳米片，其与所述第一纳米片沿着所述第一方向间隔开，并且其中，所述第一纳米片沿着所述第二方向的水平长度等于所述第二纳米片沿着所述第二方向的水平长度。

6.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述纳米片晶体管包括一对多晶硅纳米片，所述一对多晶硅纳米片沿着所述第一方向彼此间隔开并且从所述位线起沿着所述第二方向水平地取向。

7.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述纳米片晶体管包括：

至少一对纳米片，其沿着所述第一方向彼此间隔开并且从所述位线起沿着所述第二方向水平地取向；

字线，其沿着与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向延伸，并且围绕所述至少一对纳米片；以及

栅极绝缘层，其位于所述至少一对纳米片与所述字线之间，并且围绕所述至少一对纳米片。

8.根据权利要求7所述的存储单元，其中，所述字线包括：

围绕部分，其围绕所述至少一个纳米片；和

延伸部分，其从所述围绕部分起沿着所述第三方向延伸；以及

其中，所述延伸部分不围绕所述至少一个纳米片。

9.根据权利要求7所述的存储单元，其中，所述字线包括金属基材料。

10.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述位线包括金属基材料。

11.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述电容器包括：

筒状储存节点，其连接至所述纳米片晶体管的一端并且沿着所述第二方向水平地取向；

电介质层，其在所述筒状储存节点上；以及

板式节点，其在所述电介质层上。

12.根据权利要求1所述的存储单元，还包括：

第一掺杂部分，其从所述至少一个纳米片的第一侧起水平地延伸；以及

第二掺杂部分，其从所述至少一个纳米片的第二侧起水平地延伸并且连接至所述电容器。

13.一种存储单元，包括：

衬底；

位线，其从所述衬底起沿着第一方向竖直地取向；

第一筒体，其从所述位线起沿着与所述第一方向垂直的第二方向水平地取向；

第二筒体，其与所述第一筒体水平地间隔开；

至少两个纳米片，其在所述第一筒体与所述第二筒体之间水平地取向；

字线，其被掩埋在所述第一筒体和所述第二筒体中，并且围绕所述至少两个纳米片；以及

电容器，其从所述第二筒体起沿着所述第二方向水平地取向。