[发明专利]一种晶界扩散钕铁硼磁铁及其制备方法

权利要求书

1.一种晶界扩散钕铁硼磁铁，其特征在于，包括磁铁本体和包裹于所述磁铁本体表面的扩散涂层，所述磁铁本体按质量百分比计，包括以下组分：PrNd28-33%，Ce2-4%，Cu0.1-0.3%，Al0.2-0.6%，Zr0.1-0.3%，Co0.9-1.5%，B0.8-0.9%，其余为Fe以及不可除去的杂质；所述扩散涂层由DyH₃与DyF₃的共混物组成。

2.根据权利要求1所述的一种晶界扩散钕铁硼磁铁，其特征在于：DyH₃与DyF₃的质量比为（95-98）：（2-5）。

3.如权利要求1-2任一项所述的一种晶界扩散钕铁硼磁铁的制备方法，其特征在于，包括如下制备步骤：

S1、磁铁本体的制备

S11、根据最终产品的组分称取原料并混合均匀，得到混料；

S12、将混料进行熔炼，并使用冷却辊速铸成合金薄片；

S13、将合金薄片氢破成颗粒；

S14、颗粒经气流磨粉碎，得到合金粉末；

S15、合金粉末在氮气保护下模压成型，得到压坯；

S16、压坯进行烧结以及回火处理后，空冷制得磁铁本体；

S2、扩散涂层的制备

S21、电泳沉积

将磁铁本体放入含纳米Al粉的异丙醇溶液中进行电泳沉积，沉积完成后进行干燥处理；

S22、涂层涂覆

按比例称取DyH₃与DyF₃配成含重稀土化合物的悬浊液，粘度为200～400MPa·s，将悬浊液涂覆在S21中干燥处理后的磁铁本体表面，然后进行真空干燥；

S23、晶界扩散热处理

经真空干燥后的磁铁本体进行晶界扩散热处理，得到晶界扩散钕铁硼磁铁。

4.根据权利要求3所述的一种晶界扩散钕铁硼磁铁的制备方法，其特征在于：S14中合金粉末的粒径小于4μm。

5.根据权利要求3所述的一种晶界扩散钕铁硼磁铁的制备方法，其特征在于：S16中烧结分两次进行烧结，先由常温加热至760-780℃，保温1-1.5h，再将温度升至1050-1100℃，保温1.5-2.5h。

6.根据权利要求3所述的一种晶界扩散钕铁硼磁铁的制备方法，其特征在于：S16中回火处理包括一级回火和二级回火，一级回火的回火温度为900-950℃，保温时间为2-3h，二级回火的回火温度为570-620℃，保温时间为2-3h。

7.根据权利要求3所述的一种晶界扩散钕铁硼磁铁的制备方法，其特征在于：S21中，干燥温度为40-45℃，干燥时间为2-3h。

8.根据权利要求3所述的一种晶界扩散钕铁硼磁铁的制备方法，其特征在于：S22中，晶界扩散处理的晶界扩散温度为480-520℃，保温时间为1-2h。