[发明专利]光学结构及其制造方法及包含其的光学系统在审
申请号: | 202110441031.0 | 申请日: | 2021-04-23 |
公开(公告)号: | CN113903755A | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 谢锦全;郑岳青;何偲瑜 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 结构 及其 制造 方法 包含 光学系统 | ||
本公开提供一种光学结构及其制造方法及包含其的光学系统,该光学结构包括:光学元件以及多个突出物。光学元件具有平坦化上表面。突出物设置于平坦化上表面上,其中每一突出物独立地具有次波长尺寸。本公开提供的光学结构的优点在于:通过设置具有多个突出物的超表面可避免串音干扰,提高空间解析度、整体灵敏度、噪声比、及避免混色,达到更佳的影像品质。此外,可省去发光二极管之间的隔离壁,从而减小装置的体积;由于光学多层膜未以大角度照射,也可解决蓝移问题;指纹感测器亦可产生更高对比度的高解析度影像。
技术领域
本公开涉及一种光学结构,特别是涉及一种具有超表面(metasurface)的光学结构。
背景技术
各种光学装置,例如互补式金属氧化物半导体((Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)影像感测器与光学指纹装置业已开发。然而,当光源包括杂散光时,可能会发生一些问题。举例来说,互补式金属氧化物半导体(CMOS)影像感测器可能会受到串音干扰,而降低空间解析度、整体灵敏度、并导致混色,从而造成影像错误。若在光学装置中使用光学多层膜,由于杂散光以大角度照射在光学多层膜,使得光学多层膜可能产生蓝移,导致杂散光的波长朝蓝光偏移。此外,光学指纹装置可能因使用杂散光产生较低对比度的低解析度影像。
尽管现有光学装置足以满足其预期目的,但无法在各方面都尽如人意。结果来说,需要能解决上述问题的新颖光学结构。
发明内容
本公开提供一种可准直杂散光的光学结构。将超表面(metasurface)设置于平坦化表面上。超表面包括具有多个突出物的图案。当杂散光通过超表面时,超表面可准直杂散光。因此,杂散光以0度入射角照射光学装置。结果来看,可避免CMOS影像感测器中的串音干扰,从而提高空间解析度、增强整体灵敏度并避免混色,而获得更佳的影像品质。由于未以大角度照射光学多层膜,也解决了蓝移问题。光学指纹装置亦可以更高对比度产生更高解析度的影像。
根据本公开的部分实施例,提供一种光学结构。该光学结构包括:一光学元件以及多个突出物。该光学元件具有一平坦化上表面。这些突出物设置于该平坦化上表面上,其中每一突出物独立地具有次波长尺寸。
根据本公开的部分实施例,提供一种光学结构的制造方法。该制造方法包括:提供一光学元件,具有一平坦化上表面;以及形成多个突出物于该平坦化上表面上,其中每一所述突出物独立地具有次波长尺寸。
根据本公开的部分实施例,提供一种光学系统。该光学系统包括:一感测器、一光学元件、以及多个突出物。该光学元件设置于该感测器上。该光学元件具有一平坦化上表面。所述突出物设置于该平坦化上表面上,其中每一所述突出物独立地具有次波长尺寸。
在以下实施例中参考所附图式给予实施方式。
附图说明
通过阅读后续的实施方式和范例并参考所附图式,可更完全地理解本发明,其中:
图1是根据本公开的部分实施例,揭示一种光学结构制造方法其中一步骤的剖面示意图;
图2是根据本公开的部分实施例,揭示一种光学结构制造方法其中一步骤的剖面示意图;
图3A是根据本公开的部分实施例,揭示一种光学结构制造方法其中一步骤的剖面示意图;
图3B是根据本公开的部分实施例,揭示一种光学结构制造方法其中一步骤的剖面示意图;
图4A是根据本公开的部分实施例,揭示一种光学结构制造方法其中一步骤的剖面示意图;
图4B是根据本公开的部分实施例,揭示一种光学结构制造方法其中一步骤的剖面示意图;
图5A是根据本公开的部分实施例,揭示一种光学结构制造方法其中一步骤的剖面示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的