[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明涉及一种基板处理装置，更详细而言，涉及一种基板处理装置，包括：腔室部；基座部，内置于所述腔室部；转轴部，以能够旋转的方式安装于所述基座部，并且使放置于所述转轴部的基板旋转；多个处理部，以能够旋转的方式安装于所述基座部，向所述基板与所述基座部之间移动，并且向所述基板喷射处理物质；以及阻尼器部，安装于所述腔室部，使所述腔室部的内部压力保持固定。该基板处理装置能够优化腔室部的尺寸，并且抑制基板不良。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置，更详细而言，涉及一种能够优化喷嘴配置，通过基板检测缩小设备尺寸，并且抑制基板不良的基板处理装置。

背景技术

一般而言，半导体制造工序中，晶片加工工序包括光刻胶涂布工序(PhotoresistCoating)、显影工序(DevelopBake)、蚀刻工序(Etching)、化学气相沉积工序(ChemicalVapor Deposition)、去胶工序(Ashing)等。

用于去除在进行上述多种步骤的工序的过程中附着于基板的各种污染物的工序，有利用药液(Chemical)或去离子水(DI water,Deionized Water)的清洗工序(WetCleaning Process)。

另外，在完成清洗工序后，有用于干燥半导体基板表面残留的药液或去离子水的干燥(Drying)工序。为进行干燥工序使用的基板干燥装置有利用机械旋转力干燥半导体基板的旋转干燥装置(Spin dry)和利用IPA(异丙醇，isopropyl alcohol)的化学反应干燥半导体基板的IPA干燥装置。

现有技术中，有在多喷嘴的设置中为了不产生相互干扰而增大设备尺寸的问题。因此，有必要对此进行改善。

本发明的背景技术记载于韩国授权专利公报第10-2031304号(授权日：2019年10月4日，发明名称：可进行蚀刻和去胶的基板处理腔室、利用其的基板处理装置及利用其的基板处理方法)。

发明内容

要解决的技术问题

本发明是为了改善上述问题而提出的，目的在于提供一种能够优化喷嘴配置，通过基板检测使设备尺寸缩小，并且抑制基板不良的基板处理装置。

解决技术问题的手段

根据本发明的基板处理装置，其特征在于，包括：腔室部；基座部，内置于所述腔室部；转轴部，以能够旋转的方式安装于所述基座部，并且使放置于所述转轴部的基板旋转；多个处理部，以能够旋转的方式安装于所述基座部，向所述基板与所述基座部之间移动，并且向所述基板喷射处理物质；以及阻尼器部，安装于所述腔室部，使所述腔室部的内部压力保持固定。

所述处理部特征在于，包括：第一处理部，以能够旋转的方式安装于所述基座部，并且向所述基板喷射第一处理物质；第二处理部，以能够旋转的方式安装于所述基座部，并且向所述基板喷射第二处理物质；第三处理部，以与所述第二处理部相对的方式配置，并且以能够旋转的方式安装于所述基座部，所述第三处理部向上方移动而不与所述第二处理部发生干扰，并且向所述基板喷射第三处理物质；以及第四处理部，以能够旋转的方式安装于所述基座部，并且向所述基板喷射第四处理物质。

所述处理部特征在于，还包括：第五处理部，安装于所述基座部，在发生工序错误时清洗所述基板，以便再使用所述基板。

根据本发明的基板处理装置，特征在于，还包括：检测部，安装于所述腔室部，并且检测所述腔室部的内部状态和所述基板的状态。

所述检测部特征在于，包括：振动检测部，检测所述腔室部的振动。

所述检测部特征在于，包括：温湿度检测部，检测所述腔室部的温度和湿度。

所述检测部特征在于，包括：热成像检测部，检测所述基板的温度。