[发明专利]基板处理装置在审
| 申请号: | 202110408018.5 | 申请日: | 2021-04-15 |
| 公开(公告)号: | CN113539888A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
| 发明(设计)人: | 白承大;许今东;金成烨 | 申请(专利权)人: | 杰宜斯科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁小龙 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
腔室部;
基座部,内置于所述腔室部;
转轴部,以能够旋转的方式安装于所述基座部,并且使放置于所述转轴部的基板旋转;
多个处理部,以能够旋转的方式安装于所述基座部,向所述基板与所述基座部之间移动,并且向所述基板喷射处理物质;以及
阻尼器部,安装于所述腔室部,使所述腔室部的内部压力保持固定。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述处理部包括:
第一处理部,以能够旋转的方式安装于所述基座部,并且向所述基板喷射第一处理物质;
第二处理部,以能够旋转的方式安装于所述基座部,并且向所述基板喷射第二处理物质;
第三处理部,以与所述第二处理部相对的方式配置,并且以能够旋转的方式安装于所述基座部,所述第三处理部向上方移动而不与所述第二处理部发生干扰,并且向所述基板喷射第三处理物质;以及
第四处理部,以能够旋转的方式安装于所述基座部,并且向所述基板喷射第四处理物质。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述处理部还包括:
第五处理部,安装于所述基座部,在发生工序错误时清洗所述基板,以便再使用所述基板。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
检测部,安装于所述腔室部,并且检测所述腔室部的内部状态和所述基板的状态。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述检测部包括:
振动检测部,检测所述腔室部的振动。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述检测部包括:
温湿度检测部,检测所述腔室部的温度和湿度。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述检测部包括:
热成像检测部,检测所述基板的温度。
8.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述检测部包括:
气体检测部,检测所述腔室部内的气体。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述阻尼器部包括:
阻尼器管部,连接于所述腔室部,将所述腔室部的内部气体向外部排出;
阻尼器开闭部,开闭所述阻尼器管部;
阻尼器电机部,使所述阻尼器开闭部工作;
阻尼器测量部,安装于所述腔室部,并且测量所述腔室部的内部压力;以及
阻尼器控制部,接收所述阻尼器测量部的测量信号,以控制所述阻尼器电机部。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
检查部,安装于所述基座部,判断是否从所述处理部排出已设定流量的处理物质。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
下部处理部,安装于所述转轴部,并且向所述基板的下部排出下部处理物质。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于,
所述下部处理部包括:
下部储存部,储存一种以上的下部处理物质;
下部引导部,安装于所述转轴部,并且引导一种以上的所述下部处理物质;以及
下部喷嘴部,形成于所述下部引导部的上部,并且排出一种以上的所述下部处理物质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





