[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：存储单元；

字线，与所述存储单元的栅极电连接；

位线，与所述存储单元的一端电连接；

第1晶体管，具有与所述位线电连接的第1栅极；

第2晶体管，连接于所述第1晶体管的第1端；及

驱动器，对所述第1晶体管的所述第1栅极施加电压；

读出动作中，所述驱动器根据对所述字线施加的读出电压，改变对所述第1晶体管的所述第1栅极施加的电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述存储单元具备具有不同阈值电压的多个状态中的一个，

所述驱动器根据所述存储单元所具备的所述状态，改变对所述第1晶体管的所述第1栅极施加的电压。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述存储单元具备具有不同阈值电压的多个状态中的一个，所述多个状态被分为第1组及第2组，

所述驱动器根据所述存储单元是所述第1组及第2组中的哪一组来改变对所述第1晶体管的所述第1栅极施加的电压。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述存储单元具有第1状态或第2状态中的任一状态，第1状态是写入动作及抹除动作的执行次数为第1次数以下的状态，第2状态是写入动作及抹除动作的执行次数大于所述第1次数的状态，

在所述存储单元处于所述第1状态的情况下，所述驱动器对所述第1晶体管的所述第1栅极施加第1电压，

在所述存储单元处于所述第2状态的情况下，所述驱动器对所述第1晶体管的所述第1栅极施加与所述第1电压不同的第2电压。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中所述第2电压是比所述第1电压高的电压或比所述第1电压低的电压的任一种电压。

6.一种半导体存储装置，具备：存储单元；

字线，与所述存储单元的栅极电连接；

位线，与所述存储单元的一端电连接；

第1晶体管，具有与所述位线电连接的第1端；

第2晶体管，具有与所述第1晶体管的第2端电连接的栅极；及

第3晶体管，具有连接于所述第2晶体管的第1端；及

控制电路，对所述第1晶体管的第1栅极供给控制信号；

读出动作中，所述控制电路根据对所述字线施加的读出电压，改变对所述第1晶体管的所述第1栅极供给的所述控制信号的断言状态的期间。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中所述存储单元具备具有不同阈值电压的多个状态中的一个，

所述控制电路根据所述存储单元所具备的所述状态，改变对所述第1晶体管供给的所述控制信号的断言状态的期间。

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中所述存储单元具备具有不同阈值电压的多个状态中的一个，所述多个状态被分为第1组及第2组，

所述驱动器根据所述存储单元是所述第1组及第2组中的哪一组来改变对所述第1晶体管的所述第1栅极供给的所述控制信号的断言状态的期间。

9.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中所述存储单元具有第1状态或第2状态中的任一状态，第1状态是写入动作及抹除动作的执行次数为第1次数以下的状态，第2状态是写入动作及抹除动作的执行次数大于所述第1次数的状态，

在所述存储单元处于所述第1状态的情况下，所述驱动器将对所述第1晶体管的所述第1栅极供给的所述控制信号的断言状态设定为第1期间，

在所述存储单元处于所述第2状态的情况下，所述驱动器将对所述第1晶体管的所述第1栅极供给的所述控制信号的断言状态设定为与所述第1期间不同的第2期间。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中所述第2期间是比所述第1期间长的期间或比所述第1期间短的期间的任一期间。