[发明专利]智能锁延时电路

说明书

本发明涉及智能锁技术领域，尤其涉及智能锁延时电路，本发明包括在正极端设有key实体开关和在负极的复位开关，电路采用3.3V输入电压，电阻R12一端接3.3V电压，另一端与电容C83串联，电容C83、电容C82和电阻R23一端为并联，另一端接地，电阻R24一端与电阻R12串联,另一端连接NMOS管Q2的栅极，NMOS管Q2漏极连接电阻R29的一端，NMOS管Q2源极接地，电阻R29另一端接3.3V电压，所述电阻R31一端与电阻R29串联，另一端接NMOS管Q3的栅极，NMOS管Q3漏极接电阻R34的一端和PMOS管Q5的栅极，NMOS管Q3源极接地，电阻R34另一端接3.3V电压和PMOS管Q5的源极，PMOS管Q5的漏极串联电容C85、电阻R41再接到NMOS管Q8的栅极。本发明成本低，安全稳定，可在软件功能异常时通过本发明的电路进行智能锁系统复位。

技术领域

本发明涉及智能锁技术领域，尤其涉及智能锁延时电路。

背景技术

智能门锁是指区别于传统机械锁的基础上改进的，在用户安全性、识别、管理性方面更加智能化简便化的锁具。智能门锁是门禁系统中锁门的执行部件。智能门锁区别于传统机械锁,是具有安全性,便利性,先进技术的复合型锁具。磁卡、射频卡(非接触类，安全性较高，塑料材质，配置携带较方便，价格低廉)使用非机械钥匙作为用户识别ID的成熟技术，如：指纹锁、虹膜识别门禁(生物识别类，安全性高，不存在丢失损坏；但不方便配置，成本高)TM卡(接触类，安全性很高，不锈钢材质，配置携带极为方便，价格较低)在以下场所应用较多：银行，政府部门(注重安全性)，以及酒店，学校宿舍，居民小区，别墅，宾馆

一般智能锁不可避免的会出现由软件系统导致的系统出现异常或者宕机的死机现象，一般这种现象通过软件自身无法进行复位，并且传统的智能锁的电路较为复杂，器件较多，延时时间长短精度不高。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供智能锁延时电路，以解决背景技术中的问题。

本发明的智能锁延时电路具体包括在正极端设有key实体开关和在负极的复位开关，电路采用3.3V输入电压，电阻R12一端接3.3V电压，另一端与电容C83串联，电容C83、电容C82和电阻R23一端为并联，另一端接地，所述电阻R24一端与电阻R12串联,另一端连接NMOS管Q2的栅极，所述NMOS管Q2漏极连接电阻R29的一端，NMOS管Q2源极接地，电阻R29另一端接3.3V电压，所述电阻R31一端与电阻R29串联，另一端接NMOS管Q3的栅极，所述NMOS管Q3漏极接电阻R34的一端和PMOS管Q5的栅极，NMOS管Q3源极接地，电阻R34另一端接3.3V电压和PMOS管Q5的源极，PMOS管Q5的漏极串联电容C85、电阻R41再接到NMOS管Q8的栅极，所述电容C85一端与电阻R37并联，另一端与电阻R40并联，电阻R37和电阻R40另一端接地，所述电阻C84一端接3.3V电压，另一端接PMOS管Q5的漏极，所述电阻R51一端接3.3V电压，另一端接LED灯正极，LED灯负极接到LED1灯负极和NMOS管Q8的漏极，所述NMOS管Q8的源极接地，LED1灯正极接到复位管脚。

进一步，所述电容C83和电容C82均为22uf，所述电容C84和电容C85均为1uf，所述电阻R24、R31和R41均为4.7K。

进一步，具体实现延时步骤如下：

S1:首先通过KEY键3.3V上电，出现发光二极管闪一下，是上电复位现象；

S2:通过R12电阻给C82和C83电容充电，电压从0V往上升到0.7V，充电时间需要30秒，让NMOS管Q2从关闭状态变成打开状态；

S3：电阻R29将PMOS管Q5的源极3.3V电压降到2.4V，NMOS管Q2的漏极处电压由2.4V开始下降，直至降到0V；让Q3的NMOS管从打开状态变成关闭状态；