[发明专利]碳化硅纳米颗粒及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202110390284.X 申请日: 2021-04-12
公开(公告)号: CN113105245A 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 王城;周加文;夏维东 申请(专利权)人: 合肥碳艺科技有限公司
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/626;H01L33/50;B82Y10/00;B82Y40/00
代理公司: 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 代理人: 张梦媚
地址: 230088 安徽省合肥市高新区望江西*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 碳化硅 纳米 颗粒 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种碳化硅纳米颗粒的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供含硅有机前驱体作为碳源和硅源;

引导所述含硅有机前驱体至大气压非平衡等离子体区域,在等离子体的诱导下反应,获得碳化硅纳米颗粒。

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述含硅有机前驱体选自甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、乙基硅烷、六甲基二硅烷中的至少一种。

3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述大气压非平衡等离子体区域的形成采用电弧放电、微波放电、辉光放电中的至少一种。

4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述大气压非平衡等离子体区域中,等离子体的工质气体选自氩气、氮气、氢气、氦气中的至少一种。

5.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述工质气体的流量在2-50slm。

6.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述含硅有机前驱体中硅原子的摩尔流量与所述工质气体的摩尔流量之比不高于1:20。

7.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述大气压非平衡等离子体区域中,等离子体的电子1.0-5.0eV,重粒子温度为300-1000K,气体平均温度为300-1000K,放电气压为1.0bar,放电功率为10-1000W。

8.一种碳化硅纳米颗粒,其特征在于,采用如权利要求1-7任一项所述的制备方法制得。

9.如权利要求8所述的碳化硅纳米颗粒,其特征在于,所述碳化硅纳米颗粒为非晶碳化硅纳米颗粒,呈准球形,其平均粒径小于10nm,在340-420nm的激发光激发下具有蓝、绿光发射。

10.一种碳化硅纳米颗粒在用于制备发光器件中的应用,其特征在于,所述碳化硅纳米颗粒采用如权利要求1-7任一项所述的制备方法制得。

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