[发明专利]一种碘酸钪二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用有效
| 申请号： | 202110389987.0 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113215657B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张弛;徐勤科;吴超 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C30B29/10 | 分类号： | C30B29/10;C30B7/10;G02F1/355 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碘酸 钪二阶 非线性 光学 晶体 材料 及其 制备 应用 | ||
1.一种碘酸钪二阶非线性光学晶体材料，其特征在于，其化学式为α-Sc(IO3)3；该晶体材料属于六方晶系，其空间群为P63，晶胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝2，晶胞体积为
2.根据权利要求1所述的一种碘酸钪二阶非线性光学晶体材料，其特征在于，该晶体材料的晶胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝2，晶胞体积为
3.如权利要求1-2任一所述的一种碘酸钪二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，取钪源、碘源、锂源和水混合形成初始混合原料，接着在水热条件下晶化，即得到目的产物。
4.根据权利要求3所述的一种碘酸钪二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，所述的钪源为氧化钪；所述的碘源为氧化碘；所述的锂源为碳酸锂。
5.根据权利要求3所述的一种碘酸钪二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，初始混合原料中，钪元素、碘元素、锂元素的摩尔比例为(0.6～1.2)：(2.0～4.8)：(1.6～3.2)。
6.根据权利要求3所述的一种碘酸钪二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，水热条件的温度为180～230℃，晶化时间不少于48h。
7.根据权利要求6所述的一种碘酸钪二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，水热条件的温度为220～230℃，晶化时间不少于48h。
8.如权利要求1-2任一所述的一种碘酸钪二阶非线性光学晶体材料的应用，其特征在于，该晶体材料用于红外激光变频输出。
9.根据权利要求8所述的一种碘酸钪二阶非线性光学晶体材料的应用，其特征在于，该晶体材料用于倍频发生器、光参量振荡器、光参量放大器和光电整流器。
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