[发明专利]可见光探测器及制备方法

权利要求书

1.可见光探测器，其特征在于，包括设置于Si(100)衬底上表面的Bi₂O₃层，所述Bi₂O₃层的上表面设置有Bi₂(SeO₃)₃薄膜层，在Bi₂O₃层的上表面和Bi₂(SeO₃)₃薄膜层的上表面设置有电极。

2.如权利要求1所述的可见光探测器，其特征在于，所述电极为Ti/Au复合电极。

3.可见光探测器的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

(S1)以Bi₂O₃为Bi和O源，以高纯的Se颗粒为Se源，利用分子束外延方法在Si(100)衬底的表面依次生长Bi₂O₃薄膜和Bi₂(SeO₃)₃薄膜；

(S2)在Bi₂O₃薄膜和Bi₂(SeO₃)₃薄膜上利用掩模版生长Au/Ti电极。

4.如权利要求3所述的可见光探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤(S1)为：

将Si衬底移入分子束外延设备中，使用机械泵和分子泵仪器腔内压强到4×10^-4Pa，调节衬底温度为200度，打开电子枪生长Bi₂O₃薄膜2小时，随后冷却到室温，取出样品在Bi₂O₃薄膜上放置预定的掩模版，然后在放入分子束外延仪器内，使用机械泵和分子泵仪器腔内压强到4×10^-4Pa，调节衬底温度为200度，同时蒸发Bi₂O₃源和Se源，生长2小时的Bi₂(SeO₃)₃薄膜；

所述步骤(S2)为：

使用电子枪仪器，将生长好的Bi₂(SeO₃)₃薄膜上放置预定掩模版，随后放入电子束蒸发仪器中，通过机械泵和分子泵使腔内压强到3.6×10^-4Pa，然后生长Ti和Au形成Ti/Au电极。