[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110372849.1 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113380621B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 陈宇;杨彦涛;李文博;蒋利云;朱新建 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰集科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李镇江 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，衬底中设置有实现器件功能的元胞器件结构；位于衬底上方的第一介质层，第一介质层中设置有第一类接触孔和第二类接触孔，第一类接触孔和第二类接触孔贯穿第一介质层；位于第一介质层上方的元胞区金属电极和终端区金属电极，元胞区金属电极填充第一类接触孔，终端区金属电极填充第二类接触孔；位于所述第一介质层上方的第二介质层，第二介质层填充元胞区金属电极和终端区金属电极间的间隙；位于第二介质层上方的钝化层，钝化层暴露出部分元胞区金属电极和部分第一介质层，部分钝化层或第二介质层位于终端区金属电极的外围。本发明实施例的半导体器件提高了半导体器件的可靠性。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
背景技术
半导体器件通常包括在衬底上方依次层叠的介质层、金属层和钝化层。半导体器件在制造过程中，需要刻蚀金属层和钝化层。由于工艺需求，金属层和钝化层均需要被过刻蚀。金属层被过刻蚀的过程中，金属层被刻蚀区域下方的介质层被刻蚀。钝化层被过刻蚀的过程中，划片道区域的介质层被刻蚀。被刻蚀的介质层的厚度减薄，外界气氛中的金属离子、水汽、化学物质等杂质易侵入介质层中并透过厚度减薄的介质层影响衬底中元胞器件结构的电场分布，降低了半导体器件的可靠性。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，提高了衬底中元胞器件结构的电场分布的稳定性，提高了半导体器件的可靠性。
根据本发明实施例的第一方面，提供一种半导体器件，包括：
衬底，所述衬底中设置有实现器件功能的元胞器件结构；
位于所述衬底上方的第一介质层，所述第一介质层中设置有第一类接触孔和第二类接触孔，所述第一类接触孔和第二类接触孔贯穿所述第一介质层；
位于所述第一介质层上方的元胞区金属电极和终端区金属电极，所述元胞区金属电极填充所述第一类接触孔，所述终端区金属电极填充所述第二类接触孔；
位于所述第一介质层上方的第二介质层，所述第二介质层填充所述元胞区金属电极和所述终端区金属电极间的间隙；
位于所述第二介质层上方的钝化层，所述钝化层暴露出部分所述元胞区金属电极和部分所述第一介质层，部分所述钝化层位于所述终端区金属电极的外围。
可选地，所述半导体器件还包括：阻挡层，所述阻挡层位于所述第一介质层上方，所述阻挡层覆盖所述第一介质层，所述第一类接触孔和第二类接触孔贯穿所述阻挡层，所述钝化层暴露出部分所述阻挡层。
可选地，部分所述第二介质层位于所述终端区金属电极的外围，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层位于所述第二钝化层下方，所述第二介质层、所述第一钝化层和所述第二钝化层的侧壁齐平。
可选地，部分所述钝化层位于所述终端区金属电极的外围，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层位于所述第二钝化层下方，所述第一钝化层和所述第二钝化层的侧壁齐平。
可选地，部分所述钝化层位于所述终端区金属电极的外围，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层位于所述第二钝化层下方，所述第二钝化层覆盖所述第一钝化层的侧壁。
可选地，所述第一钝化层的材料包括二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中一种材料或多种材料的组合。
可选地，所述第一钝化层的厚度包括至
可选地，所述第二钝化层的材料包括聚酰亚胺。
可选地，所述第二钝化层的厚度包括2至15um。
可选地，所述第一钝化层的材料包括不掺杂的二氧化硅，所述第一钝化层的厚度包括至
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
