[发明专利]一种制作发光装置的方法以及发光装置

说明书

本申请实施例涉及一种制作发光装置的方法以及发光装置，所述发光装置包括发光区和金属导通区，所述金属导通区用于连接所述发光区以及控制电路，制作发光装置的方法包括在所述金属导通区形成牺牲层；使用等离子体增强原子层沉积技术在所述发光区和金属导通区形成第一阻挡层；于所述发光区，在所述第一阻挡层上形成封装层；对所述金属导通区加热，以去除所述牺牲层和所述金属导通区上的膜层，通过等离子体增强原子层沉积技术在所述发光区和金属导通区形成的第一阻挡层膜质致密，台阶覆盖率好，在发光装置的制程中，不需要额外配置刻蚀机台，即可去除金属导通区上的第一阻挡层，本申请制作发光装置的方法的制作成本低，成膜质量好，用户体验良好。

技术领域

本发明实施例涉及显示器件技术领域，特别是涉及一种制作发光装置的方法以及发光装置。

背景技术

包括有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)在内的发光装置具有主动发光、低电压驱动、高亮度、全色彩、高的对比度、节能且可折叠等优点，目前成为新一代发光装置中最具竞争力的产品之一，其广泛应用于手机、电脑、电视等领域。发光装置包括发光区和金属导通区，金属导通区用于连接发光区以及控制电路，控制电路可以是芯片等。发光装置良好的阻水氧等特性对于发光装置的发展和应用具有重要的意义。发光装置设置包括第一阻挡层和其他封装层来获得良好的阻水氧性能。其中，在制备发光装置的制程中，第一阻挡层覆盖发光区和金属导通区，在将发光区通过金属导通区与控制电路连接时，需要金属导通区不被第一阻挡层覆盖，即需要金属导通区裸露。

本发明的发明人在实现本发明的过程中，发现：目前，传统的在发光区和金属导通区形成第一阻挡层的方法为采用等离子体增强化学气相沉积技术，采用等离子体增强化学气相沉积技术形成的第一阻挡层膜质疏松且台阶覆盖率差。另外，传统的去除金属导通区上的膜层的方法为使用刻蚀的方法，需要配置刻蚀机台，成本高。

发明内容

鉴于上述问题，本申请实施例提供了一种制作发光装置的方法以及发光装置，克服了上述问题或者至少部分地解决了上述问题。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种制作发光装置的方法，所述发光装置包括发光区和金属导通区，所述金属导通区用于连接所述发光区以及控制电路，所述方法包括：在所述金属导通区形成牺牲层；使用等离子体增强原子层沉积技术在所述发光区和金属导通区形成第一阻挡层；于所述发光区，在所述第一阻挡层上形成封装层；对所述金属导通区加热，以去除所述牺牲层和所述金属导通区上的膜层。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种发光装置，发光装置由上述制作发光装置的方法制作获得。

本申请实施例的有益效果是：提供了一种制作发光装置的方法以及发光装置，所述发光装置包括发光区和金属导通区，所述金属导通区用于连接所述发光区以及控制电路，制作发光装置的方法包括在所述金属导通区形成牺牲层；使用等离子体增强原子层沉积技术在所述发光区和金属导通区形成第一阻挡层；于所述发光区，在所述第一阻挡层上形成封装层；对所述金属导通区加热，以去除所述牺牲层和所述金属导通区上的膜层。通过等离子体增强原子层沉积技术在所述发光区和金属导通区形成的第一阻挡层膜质致密，台阶覆盖率好，且在发光装置的制程中，不需要额外配置刻蚀机台，只需要对金属导通区进行加热即可去除金属导通区上的膜层，本申请制作发光装置的方法的制作成本低，成膜质量好，用户体验良好。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1是本发明实施例提供的发光装置的一种实现方式的示意图；

图2是本发明实施例提供的发光装置的另一种实现方式的示意图；

图3是本发明实施例提供的制作发光装置的方法的流程示意图；