[发明专利]一种制作发光装置的方法以及发光装置

权利要求书

1.一种制作发光装置的方法，所述发光装置包括发光区和金属导通区，所述金属导通区用于连接所述发光区以及控制电路，其特征在于，包括：

在所述金属导通区形成牺牲层；

使用等离子体增强原子层沉积技术在所述发光区和金属导通区形成第一阻挡层；

于所述发光区，在所述第一阻挡层上形成封装层；

对所述金属导通区加热，以去除所述牺牲层和所述金属导通区上的膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述金属导通区形成牺牲层的步骤，进一步包括：

在所述发光区和金属导通区形成所述牺牲层。

3.根据权利要求1或2任意一项所述的方法，其特征在于，所述牺牲层包括聚甲基乙撑碳酸酯薄膜。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述封装层包括缓冲层和第二阻挡层，所述于所述发光区，在所述第一阻挡层上形成封装层的步骤，进一步包括：

于所述发光区，在所述第一阻挡层上形成所述缓冲层；

在所述缓冲层上形成所述第二阻挡层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述缓冲层包括树脂，所述于所述发光区，在所述第一阻挡层上形成所述缓冲层的步骤，进一步包括：

使用打印设备，于所述发光区，在所述第一阻挡层上涂布所述树脂，以形成所述缓冲层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述缓冲层上形成所述第二阻挡层的步骤，进一步包括：

使用等离子体增强化学气相沉积技术在所述缓冲层上沉积第二阻挡层。

7.根据权利要求4-6任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一阻挡层包括第一无机层，所述第二阻挡层包括第二无机层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述金属导通区加热，以去除所述牺牲层和所述金属导通区上的膜层的步骤，进一步包括：

对所述金属导通区进行激光加热，以使所述牺牲层气化，以去除所述牺牲层和所述金属导通区上的膜层。

9.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置由如权利要求1-8任意一项所述的方法制作获得。

10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，所述发光区包括有机发光二极管。