[发明专利]阵列基板

说明书

本申请提供一种阵列基板，阵列基板包括基底、遮光层以及有源层，所述遮光层设置在所述基底上，所述有源层设置在所述遮光层上，其中，所述有源层在所述基底上的正投影位于所述遮光层在所述基底上的正投影中。在本申请中，将所述有源层在所述基底上的正投影设置为位于所述遮光层在所述基底上的正投影中，避免了有源层出现爬坡断裂的现象，进而保证阵列基板的性能。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板。

背景技术

目前，有源层通常对光信号(显示设备的背光源等)敏感，不同的光信号会导致薄膜晶体管关态时的电流激增。当这个电流信号足够大时，会导致薄膜晶体管的开关比下降，进一步导致薄膜晶体管阵列异常开启，最终导致显示画面异常。目前通常采用的办法是只在沟道区底部添加遮光层，以遮挡背光源对薄膜晶体管的影响，但是，在有遮光层与无遮光层的交界处将会使得有源层出现爬坡现象，且，有源层材料为非柔性材料，正是由于这种爬坡现象的存在，当有源层在受到后续的蚀刻和激光退火等制程影响时，有源层容易出现变窄或断裂的缺陷，进而造成良率损失，进而影响阵列基板的性能。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板，以解决现有技术中在遮光层与有源层的交界处有源层出现爬坡断裂的问题，进而提高阵列基板的性能。

本申请实施例提供一种阵列基板，包括：

基底；

遮光层，所述遮光层设置在所述基底上；以及

有源层，所述有源层设置在所述遮光层上，其中，所述有源层在所述基底上的正投影位于所述遮光层在所述基底上的正投影中。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述遮光层包括依次连接的第一遮光部、第二遮光部和第三遮光部，所述第一遮光部和所述第三遮光部位于所述第二遮光部的同侧，所述第一遮光部和所述第三遮光部相对设置。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述有源层包括依次连接的第一有源部、第二有源部和第三有源部，第一有源部位于第一遮光部上，第二有源部位于第二遮光部上，第三有源部位于第三遮光部上。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一有源部包括第一导通区和第一沟道区，所述第一导通区位于所述第一沟道区的两端，所述第三有源部包括第二导通区和第二沟道区，所述第二导通区位于所述第二沟道区的两端。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一导通区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述第一沟道区的两端，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区远离所述第一沟道区的两端，所述第一掺杂区的掺杂浓度小于所述第二掺杂区的掺杂浓度。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二导通区包括第三掺杂区和第四掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第二沟道区的两端，所述第四掺杂区位于所述第三掺杂区远离所述第二沟道区的两端，所述第三掺杂区的掺杂浓度小于所述第四掺杂区的掺杂浓度。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一遮光部的平面形状设置有第一凸起，所述第一凸起的凸起方向与所述第一沟道区的延伸方向垂直，所述第一凸起位于对应设置有所述第一掺杂区的第一遮光部的区域；所述第三遮光部的平面形状设置有第二凸起，所述第二凸起的凸起方向与所述第二沟道区的延伸方向垂直，且所述第二凸起位于对应设置有所述第三掺杂区的第三遮光部的区域。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述有源层的第一掺杂区和第三掺杂区之外的区域的正投影边缘与所述遮光层的正投影边缘重叠。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述遮光层还包括第四遮光部，所述第四遮光部与所述第一遮光部、所述第二遮光部以及所述第三遮光部连接。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一遮光部、所述第三遮光部和所述第四遮光部位于所述第二遮光部的同侧，且所述第四遮光部位于所述第一遮光部和所述第三遮光部之间。