[发明专利]阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基底；

遮光层，所述遮光层设置在所述基底上；以及

有源层，所述有源层设置在所述遮光层上，其中，所述有源层在所述基底上的正投影位于所述遮光层在所述基底上的正投影中，

其中，所述遮光层包括依次连接的第一遮光部、第二遮光部和第三遮光部，所述第一遮光部和所述第三遮光部位于所述第二遮光部的同侧，所述第一遮光部和所述第三遮光部相对设置，所述遮光层还包括第四遮光部，所述第四遮光部与所述第一遮光部、所述第二遮光部以及所述第三遮光部连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层包括依次连接的第一有源部、第二有源部和第三有源部，第一有源部位于第一遮光部上，第二有源部位于第二遮光部上，第三有源部位于第三遮光部上。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源部包括第一导通区和第一沟道区，所述第一导通区位于所述第一沟道区的两端，所述第三有源部包括第二导通区和第二沟道区，所述第二导通区位于所述第二沟道区的两端。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导通区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述第一沟道区的两端，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区远离所述第一沟道区的两端，所述第一掺杂区的掺杂浓度小于所述第二掺杂区的掺杂浓度。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导通区包括第三掺杂区和第四掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第二沟道区的两端，所述第四掺杂区位于所述第三掺杂区远离所述第二沟道区的两端，所述第三掺杂区的掺杂浓度小于所述第四掺杂区的掺杂浓度。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光部的平面形状设置有第一凸起，所述第一凸起的凸起方向与所述第一沟道区的延伸方向垂直，所述第一凸起位于对应设置有所述第一掺杂区的第一遮光部的区域；所述第三遮光部的平面形状设置有第二凸起，所述第二凸起的凸起方向与所述第二沟道区的延伸方向垂直，且所述第二凸起位于对应设置有所述第三掺杂区的第三遮光部的区域。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的第一掺杂区和第三掺杂区之外的区域的正投影边缘与所述遮光层的正投影边缘重叠。

8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一掺杂区在所述基底上的正投影边缘以及所述第三掺杂区在所述基底上的正投影边缘到所述遮光层在所述基底上的正投影边缘的距离均为400纳米-2000纳米。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光部、所述第三遮光部和所述第四遮光部位于所述第二遮光部的同侧，且所述第四遮光部位于所述第一遮光部和所述第三遮光部之间。

10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层在所述基底上的正投影边缘到所述遮光层在所述基底上的正投影边缘的距离为0纳米-6000纳米。

11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的厚度为30纳米-70纳米。

12.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基底；

遮光层，所述遮光层设置在所述基底上；以及

有源层，所述有源层设置在所述遮光层上，其中，所述有源层在所述基底上的正投影位于所述遮光层在所述基底上的正投影中，

其中，所述遮光层包括依次连接的第一遮光部、第二遮光部和第三遮光部，所述第一遮光部和所述第三遮光部位于所述第二遮光部的不同侧。