[发明专利]一种真空沉积设备的炉门进气系统

说明书

本发明提供了一种真空沉积设备的炉门进气系统，包括炉门底板、外炉门和内炉门，内炉门的前端下部设置有桨，内炉门上贯穿设置有若干第一进气口，内炉门的前端面设置有若干第一气体导流罩，每个第一气体导流罩扣在内炉门的前端面上并通过螺丝与内炉门固定连接，第一气体导流罩与内炉门之间形成集气腔体，第一气体导流罩上设置有与集气腔体连通的第二进气口和第一出气口，第一进气口的内端部与第二进气口通过导气管连接，第一出气口的出气方向与炉尾方向存在夹角。本发明提供的真空沉积设备的炉门进气系统，改善进气方式，提高工艺腔体内的气体均匀性，在桨上设置进气口，在工艺腔体的中部进行补气，从而保证炉尾处有充足的工艺气体。

技术领域

本发明涉及一种进气系统，尤其涉及一种真空沉积设备的炉门进气系统。

背景技术

晶硅电池以及一些电子器件的制备过程中需要在硅片等衬底上沉积各种薄膜材料，以晶硅电池为例，为了增加晶硅表面的钝化以减少光生载流子的复合，需要在晶硅表面沉积一层氧化铝，现有方式多是通过PECVD(等离子增强化学沉积设备)或者ALD(原子层沉积设备)制备，即硅片衬底分别在石墨舟或铝舟载具上放置在高温炉管内，通过跟对应的工艺气体进行化学反应将氧化铝沉积在硅片表面。

目前的真空沉积设备为了提高产能，炉管多设计的较长从而可以放置更高容量的石墨舟或铝舟，这就导致反应气源在炉管内很难均匀分布，薄膜沉积的均匀性也就比较差。

目前的真空沉积设备最明显的两个缺陷是：

1、气源进气口位于炉门中部，进气直吹硅片，导致炉口处的镀膜不均匀；

2、炉管长导致炉尾部分的工艺气体不足，炉尾镀膜偏薄。

发明内容

本发明的目的是克服现有的缺陷，提供一种真空沉积设备的炉门进气系统，解决目前真空沉积设备进气方式不合理和工艺气体不足的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：

一种真空沉积设备的炉门进气系统，包括炉门底板，所述炉门底板的前端连接有外炉门，所述外炉门的前端连接有内炉门，所述内炉门的前端下部设置有向所述炉尾方向延伸的桨，所述内炉门上贯穿设置有若干第一进气口，所述第一进气口的外端部连接有气源，所述内炉门的前端面设置有若干第一气体导流罩，每个所述第一气体导流罩扣在所述内炉门的前端面上并通过螺丝与所述内炉门固定连接，所述第一气体导流罩与内炉门之间形成集气腔体，所述第一气体导流罩上设置有与所述集气腔体连通的第二进气口和第一出气口，所述第一进气口的内端部与第二进气口通过导气管连接，所述第一出气口的出气方向与所述炉尾方向存在夹角。

进一步地，所述第一出气口为直线型出气口。

进一步地，所述内炉门的前端面上设置有若干换位螺孔。

进一步地，所述第一气体导流罩设置有四个，均布在所述内炉门前端的四个角。

进一步地，四个所述第一气体导流罩的第一出气口均朝向所述内炉门的中心。

进一步地，所述桨的上端面设置有第二气体导流罩，所述第二气体导流罩扣在所述桨的上端面并通过螺丝与所述桨固定连接，所述第二气体导流罩与桨之间形成补气腔体，所述第二气体导流罩上设置有与所述补气腔体连通的第二出气口，所述第二出气口的出气方向朝向所述内炉门；所述桨的下方设置有输气管，所述输气管的末端贯穿所述内炉门并连接有气源，所述输气管的前端贯穿所述桨并与所述补气腔体连通。

进一步地，所述第二气体导流罩位于所述桨延伸方向上的中部。

进一步地，所述第二出气口为直线型出气口。

进一步地，所述桨的材质为碳化硅。