[发明专利]基底加工设备、显示面板制造设备和制造显示面板的方法在审
申请号: | 202110356712.7 | 申请日: | 2021-04-01 |
公开(公告)号: | CN113539820A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 金永大;金眞锡;朴种熙 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;H01L21/67 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 加工 设备 显示 面板 制造 方法 | ||
公开了一种基底加工设备、一种显示面板制造设备和一种制造显示面板的方法。该基底加工设备包括:第一工艺腔室,在第一工艺腔室中加工目标基底;第一罐,连接到第一工艺腔室,以将第一化学物质供应到第一工艺腔室;第二工艺腔室,在第二工艺腔室中加工目标基底;以及第二罐,连接到第二工艺腔室,以将第二化学物质供应到第二工艺腔室。供应到第一工艺腔室的第一化学物质中包含的金属离子具有比供应到第二工艺腔室的第二化学物质中包含的金属离子的离子浓度大的离子浓度。
本申请要求于2020年4月20日提交的第10-2020-0047209号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
公开在这里涉及一种基底加工设备以及一种使用该基底加工设备制造显示面板的方法。更具体地,公开在这里涉及一种具有改善的工艺可靠性的基底加工设备以及一种使用该基底加工设备制造显示面板的方法。
背景技术
近年来,具有诸如大显示面积、薄且重量轻的各种期望的特性的平板显示器(“FPD”)已经广泛地用作显示装置。作为平板显示器,已经使用了液晶显示装置和有机发光显示装置。
发明内容
平板显示器通常包括多个导电图案,并且可以通过对金属(诸如银)进行蚀刻来设置导电图案。然而,在使用蚀刻剂的湿蚀刻工艺中,随着蚀刻剂中的金属离子浓度增大,蚀刻剂的累积加工的层的数量会减少,并且金属离子会被还原并被析出,从而在显示装置中引起诸如短路的缺陷。因此,期望工艺改进以防止这种缺陷。
公开提供了一种通过防止在目标基底中产生的缺陷而具有改善的工艺可靠性的基底加工设备。
公开还提供了一种通过防止在金属线等中产生的缺陷来制造具有改善的可靠性的显示面板的方法。
发明的实施例提供了一种基底加工设备,该基底加工设备包括:第一工艺腔室,在第一工艺腔室中加工目标基底;第一罐,连接到第一工艺腔室,以将第一化学物质供应到第一工艺腔室;第二工艺腔室,在第二工艺腔室中加工目标基底;以及第二罐,连接到第二工艺腔室,以将第二化学物质供应到第二工艺腔室。在这样的实施例中,供应到第一工艺腔室的第一化学物质中包含的金属离子具有比供应到第二工艺腔室的第二化学物质中包含的金属离子的离子浓度大的离子浓度。
在实施例中,基底加工设备还可以包括转移目标基底的转移部件,并且目标基底可以通过转移部件沿着从第一工艺腔室到第二工艺腔室的方向转移。
在实施例中,基底加工设备还可以包括:第三工艺腔室,在第三工艺腔室中加工目标基底;以及第三罐,连接到第三工艺腔室,以将第三化学物质供应到第三工艺腔室,并且供应到第三工艺腔室的第三化学物质中包含的金属离子可以具有比供应到第二工艺腔室的第二化学物质中包含的金属离子的离子浓度小的离子浓度。
在实施例中,目标基底可以在第一工艺腔室中加工,然后转移到第二工艺腔室,并且在第二工艺腔室中加工,然后转移到第三工艺腔室。
在实施例中,基底加工设备还可以包括浓度计,浓度计连接到第三罐,以测量第三罐中包含的第三化学物质的金属离子浓度。
在实施例中,第三化学物质可以不包括金属离子。
在实施例中,基底加工设备还可以包括备用罐,备用罐将新化学物质供应到第一罐、第二罐和第三罐中的每者。
在实施例中,新化学物质可以不包括金属离子。
在实施例中,基底加工设备还可以包括排液管,排液管连接到第一罐、第二罐和第三罐中的每者,以分别从第一罐、第二罐和第三罐转移第一化学物质至第三化学物质。
在实施例中,排液管可以包括:第一排液管,将第三化学物质从第三罐转移到第二罐;第二排液管,将第二化学物质从第二罐转移到第一罐;以及第三排液管,将第一化学物质从第一罐排放。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造