[发明专利]一种封装结构在审
申请号: | 202110354742.4 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN115148927A | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 孙枋竹;张劲源;徐芳荣;藤田阳二 | 申请(专利权)人: | 东丽先端材料研究开发(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 结构 | ||
1.一种封装结构,其特征在于,
具有:
由折射率在2.0以上的高折射率材料与折射率在1.7以下的低折射率材料构成的复合封装结构,所述折射率在2.0以上的高折射率材料为无机高折射率材料,所述折射率在1.7以下的低折射率材料选自有机高分子低折射率材料和有机小分子低折射率材料构成的组,和
由折射率在1.7以下的低折射率有机小分子材料构成的间隔封装层。
2.权利要求1所述的封装结构,其中,构成间隔封装层的有机小分子材料为不存在重复4次以上的重复单元的化合物。
3.一种发光结构,其特征在于,所述发光结构具有发光器件,所述发光器件被权利要求1所述的封装结构保护,
所述发光器件包括第一电极和第二电极,
在两个电极之间还设置有发光层以及功能层,所述功能层用于实现与电子传输或空穴传输功能,
在两个电极之外,在发光的一侧具有一层以上由小分子有机材料构成的光取出层,
所述光取出层具有折射率高于2.0的高折射率小分子有机材料层和/或折射率低于1.7的低折射率小分子有机材料层。
4.根据权利要求3的发光结构,其中光取出层由两层以上的小分子有机材料构成,其中,对于任意的相邻两层而言,折射率的差为0.3以上,并且,其中折射率较高的材料的折射率为1.8以上,折射率较低的材料的折射率为1.7以下。
5.根据权利要求3的发光结构,其中间隔封装层的低折射率有机小分子材料与发光结构的发光的一侧直接贴合。
6.根据权利要求3的发光结构,其中发光器件的光取出层的低折射率小分子有机材料与间隔封装层中的低折射率有机小分子材料相同或者不同,材料相同的情况下,所述光取出层中的所述低折射率小分子有机材料层与由所述低折射率有机小分子材料构成的间隔封装层不是同一层。
7.根据权利要求3的发光结构,其特征在于
所述发光结构应用于透明、刚性、柔性、可折叠或可卷曲的OLED面板,所述OLED面板是应用于手机、电视、平板、车载显示、尾灯、照明、VR或AR用途的OLED面板。
8.根据权利要求3的发光结构,其特征在于
所述发光结构应用于柔性、可折叠或可卷曲的OLED面板,所述OLED面板是应用于手机、电视、平板、车载显示、尾灯、照明、VR或AR用途的OLED面板。
9.根据权利要求1的封装结构,其特征在于
其中间隔封装层的低折射率有机小分子材料选自如下通式1或者通式2,
其中,Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5各自独立地为:取代或未被取代的芳基或者杂芳基,或者取代或未被取代的由两个以上的芳基或者杂芳基以非稠合方式相连而成的基团,
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5被取代时,取代基独立地选自氢、氘、可被取代的烷基、可被取代的环烷基、可被取代的杂环基、可被取代的链烯基、可被取代的环烯基、可被取代的炔基、可被取代的烷氧基、可被取代的烷硫基、可被取代的芳基醚基、可被取代的芳基硫醚基、可被取代的芳基、可被取代的杂芳基、可被取代的羰基、可被取代的羧基、可被取代的氧羰基、可被取代的氨基甲酰基、可被取代的硅烷基、可被取代的烷氨基或可被取代的芳基氨基中的一种或多种,
n1、n2独立地为1-5的整数,
其中,Ar6~Ar17相同或不同,分别独立选自氢、氘、三氟甲基、可被取代的烷基、可被取代的环烷基、可被取代的杂环基、可被取代的链烯基、可被取代的环烯基、可被取代的炔基、可被取代的烷氧基、可被取代的烷硫基、可被取代的芳基醚基、可被取代的芳基硫醚基、可被取代的芳基、可被取代的杂芳基、可被取代的羰基、可被取代的羧基、可被取代的氧羰基、可被取代的氨基甲酰基、可被取代的烷氨基或可被取代的硅烷基中的一种或多种;n3是1-3的整数;Ar16和Ar17可以键合而形成环;Ar7和Ar8可以键合成环,Ar10和Ar11可以键合成环,
Ar6~Ar17被取代的情况下,取代基分别独立选自氘、卤素、C1-C15的烷基、C3-C15的环烷基、C3-C15的杂环基、C2-C15的链烯基、C4-C15的环烯基、C2-C15的炔基、C1-C15的烷氧基、C1-C15的烷硫基、C6-C55的芳基醚基、C6-C55的芳基硫醚基、C6-C55的芳基、C5-C55的芳香族杂环基、羰基、羧基、氧羰基、氨基甲酰基、C1-C40的烷氨基或C3-C15的硅原子数为1-5的硅烷基中的一种或多种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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