[发明专利]显示装置

说明书

提供了显示装置。显示装置可包括布置在衬底上的第一有源层、布置在第一有源层上的扫描线、布置在扫描线上的下栅极信号线、布置在下栅极信号线上并且包括与下栅极信号线重叠的沟道部和形成在沟道部的侧部上的低电阻部的氧化物半导体图案、布置在低电阻部的至少一个表面上的金属图案以及在氧化物半导体图案上布置成与沟道部重叠的上栅极信号线。

技术领域

实施方式涉及显示装置。

背景技术

显示装置是显示用于向用户提供视觉信息的图像的装置。显示装置可包括多个像素。每个像素可包括配置成生成光的发光元件和配置成向发光元件提供驱动电流的像素电路。像素电路可包括用于形成多个晶体管的多个有源层。

有源层可包括第一有源层、氧化物半导体图案和类似物。与此同时，当氧化物半导体图案的电阻增加时，可减小包括氧化物半导体图案的晶体管的导通状态电流。

发明内容

实施方式提供了使氧化物半导体图案的电阻减小的显示装置。

根据一个实施方式的显示装置可包括布置在衬底上的第一有源层、布置在第一有源层上的扫描线、布置在扫描线上的下栅极信号线、布置在下栅极信号线上的第二有源层、金属图案以及上栅极信号线，第二有源层包括氧化物半导体图案，氧化物半导体图案包括与下栅极信号线重叠的沟道和形成在沟道的侧部上的低电阻部，金属图案布置在低电阻部的至少一个表面上，上栅极信号线在第二有源层上布置成与沟道重叠。

在一个实施方式中，金属图案可与低电阻部的至少一个表面直接接触。

在一个实施方式中，扫描线和低电阻部可形成升压电容器。

在一个实施方式中，金属图案可包括钨(W)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、钽(Ta)和其氮化物中的至少一种。

在一个实施方式中，金属图案可包括从氧化物半导体图案扩散的氧原子或氧离子。

在一个实施方式中，低电阻部的氧含量可小于沟道的氧含量。

在一个实施方式中，金属图案的厚度可为约或更大且约或更小。

在一个实施方式中，金属图案可布置在低电阻部的顶表面上。

在一个实施方式中，金属图案可布置在低电阻部的底表面上。

在一个实施方式中，沟道的侧部包括第一侧部和第二侧部，低电阻部可包括形成在沟道的第一侧部上的第一低电阻部和形成在沟道的第二侧部上并且在沟道介于其间的情况下与第一低电阻部间隔开的第二低电阻部，并且金属图案可包括布置在第一低电阻部的至少一个表面上的第一金属图案和布置在第二低电阻部的至少一个表面上的第二金属图案。

在一个实施方式中，显示装置还可包括布置在与扫描线相同的层上以与第一有源层一起形成驱动晶体管的第一导电图案。

在一个实施方式中，第一低电阻部可电连接到第一导电图案。

在一个实施方式中，显示装置还可包括布置在与下栅极信号线相同的层上以与第一导电图案一起形成存储电容器的第二导电图案。

在一个实施方式中，第一低电阻部可延伸以与第二导电图案重叠，并且第二导电图案和第一低电阻部可形成存储电容器。

在一个实施方式中，第二低电阻部可电连接到第一有源层。

在一个实施方式中，第一金属图案与第二金属图案之间的间隙可小于上栅极信号线的宽度。

在一个实施方式中，第一金属图案与第二金属图案之间的间隙可大于约0.1μm。