[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 202110354372.4 | 申请日: | 2021-04-01 |
| 公开(公告)号: | CN113764467A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
| 发明(设计)人: | 田中哲弘;金荣奎;徐基盛;尹锺现;李承炫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李晓伟 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
第一有源层,所述第一有源层布置在衬底上;
扫描线,所述扫描线布置在所述第一有源层上;
下栅极信号线,所述下栅极信号线布置在所述扫描线上;
第二有源层,所述第二有源层布置在所述下栅极信号线上,所述第二有源层包括氧化物半导体图案,所述氧化物半导体图案包括与所述下栅极信号线重叠的沟道和形成在所述沟道的侧部上的低电阻部;
金属图案,所述金属图案布置在所述低电阻部的至少一个表面上;以及
上栅极信号线,所述上栅极信号线在所述第二有源层上布置成与所述沟道重叠。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述金属图案与所述低电阻部的所述至少一个表面直接接触。
3.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述低电阻部的氧含量小于所述沟道的氧含量。
4.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述金属图案布置在所述低电阻部的顶表面上。
5.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述金属图案布置在所述低电阻部的底表面上。
6.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述沟道的所述侧部包括第一侧部和第二侧部,所述低电阻部包括:
第一低电阻部,所述第一低电阻部形成在所述沟道的所述第一侧部上;以及
第二低电阻部,所述第二低电阻部形成在所述沟道的所述第二侧部上,并且在所述沟道介于所述第一低电阻部和所述第二低电阻部之间的情况下与所述第一低电阻部间隔开,并且
其中,所述金属图案包括:
第一金属图案,所述第一金属图案布置在所述第一低电阻部的至少一个表面上;以及
第二金属图案,所述第二金属图案布置在所述第二低电阻部的至少一个表面上。
7.如权利要求6所述的显示装置,其中,所述第二低电阻部电连接到所述第一有源层。
8.如权利要求6所述的显示装置,其中,所述第一金属图案与所述第二金属图案之间的间隙小于所述上栅极信号线的宽度。
9.一种显示装置,包括:
驱动晶体管,所述驱动晶体管包括布置在衬底上的第一有源层和布置在所述第一有源层上的栅电极;
扫描线,所述扫描线布置在与所述栅电极相同的层上;以及
补偿晶体管,所述补偿晶体管包括:
下栅电极,所述下栅电极布置在所述扫描线上,
第二有源层,所述第二有源层包括在所述下栅电极上布置成与所述下栅电极重叠的沟道和形成在所述沟道的侧部上的低电阻部;
金属图案,所述金属图案布置在所述低电阻部的至少一个表面上;以及
上栅电极,所述上栅电极在所述第二有源层上布置成与所述沟道重叠。
10.如权利要求9所述的显示装置,其中,所述金属图案与所述低电阻部的所述至少一个表面直接接触。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





