[发明专利]一种膜层生长设备及方法

权利要求书

1.一种膜层生长设备，其特征在于，包括：反应腔室和控制器，所述反应腔室内具有基台、可移动的挡板和机械结构；

所述基台用于对放置于所述基台上的待处理衬底进行加热；

所述控制器用于控制所述挡板移动至所述基台的上方完全覆盖所述基台，以阻止所述反应腔室内的反应气体在所述基台上表面成膜，预设时长后控制所述挡板远离所述基台，之后控制所述机械结构将所述待处理衬底放置在所述基台上，并控制所述基台进行加热。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述反应腔室还包括：移动装置；所述移动装置用于移动所述挡板以覆盖所述基台，所述控制器还用于控制所述移动装置。

3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述控制器还用于控制所述基台进行下降和/或所述挡板进行上升，以便所述基台上表面的高度低于所述挡板。

4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述挡板可拆卸地固定于所述反应腔室内，以便对所述挡板进行清洗或更换。

5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述挡板包括多个子挡板，所述多个子挡板用于进行拼凑形成完整的所述挡板，以覆盖所述基台。

6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述挡板上还设置有传感器，所述传感器用于测量所述挡板上生长的膜层的厚度。

7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述反应腔室的腔室壁内设置有接收器，所述接收器用于根据所述传感器发送的信号的强弱判断所述挡板上生长的膜层的厚度是否大于所述厚度阈值，当所述膜层的厚度大于所述厚度阈值时，发出警报信号。

8.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述反应气体的通入口位于所述基台上方并与所述基台上表面相对。

9.一种膜层生长方法，其特征在于，应用于权利要求1-8任意一项所述的膜层生长设备，包括：

向反应腔室内通入反应气体；

控制挡板覆盖基台，以阻止所述反应腔室内的反应气体在所述基台上表面成膜；

控制所述挡板在预设时间后远离所述基台；

在所述基台上放置待处理衬底进行加热，并在所述待处理衬底上生长膜层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述膜层为粘合层，所述粘合层的材料为氮化钛。