[发明专利]具有增强的选择性红外发射的辐射制冷结构在审

专利信息
申请号: 202110347631.0 申请日: 2021-03-31
公开(公告)号: CN113513858A 公开(公告)日: 2021-10-19
发明(设计)人: 黄宝陵;林崇佳 申请(专利权)人: 香港科技大学
主分类号: F25B23/00 分类号: F25B23/00
代理公司: 北京世峰知识产权代理有限公司 11713 代理人: 卓霖;许向彤
地址: 中国香港*** 国省代码: 香港;81
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摘要:
搜索关键词: 具有 增强 选择性 红外 发射 辐射 制冷 结构
【说明书】:

本发明提供了一种辐射制冷结构,该辐射制冷结构可使用基于溶液的工艺来制造,并且为日间辐射制冷提供了极大的红外选择性,其涉及太阳光谱内的低吸收率和大气透射窗口(8‑13微米)内的高发射率。该结构包括反射层、陶瓷红外选择性发射层和陶瓷发射增强层,并且陶瓷发射增强层能够增强辐射制冷结构在大气透射窗口内的整体发射率并避免在大气透射窗口之外的红外发射。红外选择性有助于更大程度地降低温度,特别是在高湿度地区。

技术领域

本发明涉及一种辐射制冷结构,更具体地涉及一种具有增强的选择性红外发射的辐射制冷结构及其制造方法。

背景技术

辐射制冷通过从表面或物体发出的热辐射比从周围环境吸收的热能更大,使其散热并降温。因此,这种表面或物体被称为辐射制冷器。从接近室温的表面发出的大部分热能是红外(IR)辐射,一些红外辐射可通过所谓的“大气窗口”散发到外太空,在“大气窗口”内,辐射可穿过大气而很少被吸收。由于外太空具有约3K的极低温度,因此只有少量的来自太空的能量被地球上的表面或物体吸收,而大量更强的热能会通过大气窗口发出;因此,如果其它热量传递到发射器的能力较弱,则可实现净制冷。辐射制冷器的净制冷功率Pnet可被计算如下。

Pnet(Tr,Tamb,Tatm)=Pr(Tr)-Patm(Tatm)-Psun-Pcond(Tr,Tamb)-Pconv(Tr,Tamb)

其中,Tr、Tamb和Tatm分别是辐射制冷器表面、环境和大气的有效温度。Pnet是制冷器的净制冷功率。Pr是制冷器发出的热功率。Patm是从大气吸收的辐射功率,Psun是吸收的太阳辐射,而Pcond和Pconv是制冷器和环境之间的传导传热速率和对流传热速率。

为了提高净制冷功率,应使Pr最大化,同时使Patm和Psun最小化。基于这一原理,已开发出具有高太阳辐射(0.3-2.5μm)反射率和高红外(2.5-25μm)发射率(吸收率)的红外制冷器。

然而,具有高透射率的大气窗口主要存在于8-13μm内,特别是在高湿度地区。其它红外区域的强发射率将限制温度的进一步降低。为了使制冷性能最大化,较好的辐射制冷器应提供优越的红外选择性,即,仅在8-13μm处具有高发射率(也称辐射率),而在其它波长区域内具有高反射率。

在过去的十年中,已经进行了大量关于白天辐射制冷的研究。因此,更好的的红外选择性对于实现大幅度的温度降低是必不可少的,尤其是在高湿度下。尽管已经提出了一些具有良好红外选择性的制冷器,但它们的结构通常过于复杂,无法满足大规模应用的要求。迄今为止,只有少数具有较差的红外选择性的制冷器能实现了大规模制造。

此外,在户外工作并长时间暴露于日光下的辐射制冷器也需要优异的抗紫外线性。这些现有的可扩展结构通常在制冷层中包含聚合物,以同时实现高红外发射率和太阳光透射率。然而,对于聚合物材料而言,紫外线降解是不可避免的。

两个美国专利申请US20170350121A1和US20190086164A1提出了用于辐射制冷的可扩展的辐射制冷器结构。然而,它们的设计重点不是提高红外选择性,并且在它们的设计中同样采用了聚合物。

因此,需要一种消除或至少减少上述缺点和问题的改进的辐射制冷结构。

发明内容

本文提供了一种辐射制冷结构,其包括:反射层;陶瓷红外(红外)选择性发射层,其在8μm至13μm的波长区域内具有平均发射率;陶瓷发射增强层,其包含单层陶瓷颗粒,用于增强辐射制冷结构在波长区域内的整体发射率,从而提高辐射制冷结构的制冷功率;其中,陶瓷红外选择性发射层布置在反射层和陶瓷发射增强层之间。

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