[发明专利]具有增强的选择性红外发射的辐射制冷结构

权利要求书

1.一种辐射制冷结构，包括：

反射层；

陶瓷红外选择性发射层，其在8μm至13μm的波长区域内具有平均发射率；以及

陶瓷发射增强层，其包括单层陶瓷颗粒，用于增强所述辐射制冷结构在所述波长区域内的整体发射率，从而提高所述辐射制冷结构的制冷功率；

其中，所述陶瓷红外选择性发射层布置在所述反射层和所述陶瓷发射增强层之间。

2.根据权利要求1所述的辐射制冷结构，其中，所述陶瓷红外选择性发射层包括第一硅基陶瓷材料；以及每个陶瓷颗粒包括第二硅基陶瓷材料。

3.根据权利要求2所述的辐射制冷结构，其中，所述第一硅基陶瓷材料是二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)或氮氧化硅(SiO_xN_y)；以及所述第二硅基陶瓷材料是SiO₂、Si₃N₄或SiO_xN_y。

4.根据权利要求3所述的辐射制冷结构，其中，SiO_xN_y中的x在0.1和2之间；以及SiO_xN_y中的y在0.1和2之间。

5.根据权利要求1所述的辐射制冷结构，其中，所述陶瓷颗粒通过化学粘结、物理粘结或者化学粘结和物理粘结的组合而粘结到所述陶瓷红外选择性发射层。

6.根据权利要求1所述的辐射制冷结构，其中，所述单层陶瓷颗粒具有紧密堆积结构，其中，所述陶瓷颗粒被紧密堆积。

7.根据权利要求1所述的辐射制冷结构，其中，所述单层陶瓷颗粒具有非紧密堆积结构，其中，所述陶瓷颗粒以平均颗粒间距被堆积。

8.根据权利要求7所述的辐射制冷结构，其中，所述平均颗粒间距是所述陶瓷颗粒的平均粒径的0.5至1.5倍。

9.根据权利要求1所述的辐射制冷结构，其中，每个陶瓷颗粒是实心的或空心的。

10.根据权利要求1所述的辐射制冷结构，其中，所述单层陶瓷颗粒通过朗缪尔－布劳杰特(LB)方法或喷涂形成。

11.根据权利要求1所述的辐射制冷结构，其中，所述平均发射率在0.5和1之间。

12.根据权利要求1所述的辐射制冷结构，其中，所述反射层在0.3μm至2.5μm的太阳波长区域内具有0.95至1的平均反射率。

13.根据权利要求1所述的辐射制冷结构，还包括陶瓷粘结层，所述陶瓷粘结层布置在所述陶瓷红外选择性发射层和所述陶瓷发射增强层之间，使得所述陶瓷颗粒通过化学粘结、物理粘结或者化学粘结和物理粘结的组合而粘结到所述陶瓷粘结层。

14.根据权利要求13所述的辐射制冷结构，其中，所述陶瓷粘结层包括第三硅基材料，并且具有0.1μm至2μm的厚度。

15.根据权利要求1所述的辐射制冷结构，还包括陶瓷保护层，所述陶瓷保护层布置在所述陶瓷粘结层和所述陶瓷红外选择性发射层之间，用于保护所述陶瓷红外选择性发射层。