[发明专利]图像传感器的制造方法在审
| 申请号： | 202110342838.9 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113035895A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 孙成洋;钱俊;孙昌;秋沉沉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，包括
提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介质层和第一掩膜层，所述第一介质层和第一掩膜层中形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构贯穿所述第一介质层和第一掩膜层并延伸至所述半导体衬底中；
进行第一刻蚀工艺，去除所述第一掩膜层，并去除部分所述第一介质层；
进行第二刻蚀工艺，继续去除部分所述第一介质层，以达到所述第一介质层的预设厚度；
进行离子注入工艺，在所述半导体衬底和所述浅沟槽隔离结构中全注入氟离子，以增加图像传感器的抗辐射性。
2.如权利要求1所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺为先进过程控制的湿法刻蚀工艺。
3.如权利要求2所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺的刻蚀溶液为包含氢氟酸的溶液。
4.如权利要求1所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，所述第一介质层的预设厚度为70埃-73埃。
5.如权利要求1所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，所述离子注入工艺中，注入能量为175keV-185keV。
6.如权利要求1所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，所述离子注入工艺后，所述半导体衬底中的氟离子的浓度为1.2E15cm-2-1.4E15cm-2。
7.如权利要求1所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺。
8.如权利要求1所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，在进行所述第一刻蚀工艺步骤之后，对所述半导体衬底进行清洗工艺。
9.如权利要求1所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构过程包括：
在所述第一介质层和第一掩膜层上形成图形化的第二掩膜层，以所述图形化的第二掩膜层为掩膜，刻蚀形成浅沟槽，所述浅沟槽贯穿所述第一介质层和第一掩膜层，并延伸至所述半导体衬底中；
在所述浅沟槽中沉积第二介质，所述第二介质填满所述浅沟槽并延伸至所述半导体衬底的第一掩膜层上；以及，
进行化学机械研磨，以获得浅沟槽隔离结构。
10.如权利要求1所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，在所述浅沟槽隔离结构两侧的所述半导体衬底上形成像素区的器件结构和外围电路，以形成图像传感器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
